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G调的窝头

金虫 (小有名气)

[求助] 半导体掺杂对带隙的影响 已有4人参与

掺杂是如何影响带隙大小的?例如:为什么GaN掺杂Al会增大带隙?ZnO掺杂Mg会减小带隙?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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张晋荣

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
G调的窝头: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-09-23 16:46:04
因为晶体参杂后部分晶格大小改变,如TIO2参杂后会使吸收光谱产生红移和蓝移
加油
5楼2014-09-22 18:55:32
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sheng-hao

铜虫 (初入文坛)

掺杂使材料的导电性能发生改变,使载流子的浓度增大,会使带隙变窄
机会要自己创造
2楼2014-09-18 10:38:13
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jiaokuisong

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
G调的窝头: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-09-23 16:45:47
掺杂的粒子 可以使电子轨道发生变化!
现在真心有点迷茫
3楼2014-09-19 10:12:20
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jymm

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
G调的窝头: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-09-23 16:45:55
掺杂原子的轨道能量和N或Ga的相对大小,会影响能带的增加或减小。
4楼2014-09-19 21:40:06
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