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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

[求助] 掺杂表面的分子吸附模型建立 已有2人参与

请教各位大侠一个问题,关于掺杂的表面模型建立该采用什么步骤?就用金红石相TiO2的110面作为例子吧,一个原胞含Ti2O4,先建2X2X2的超胞,用Ta替位掺杂一个Ti,这样块体掺杂比例6.25%,与实验掺杂比例基本可以相当。用ISIF=3把超胞充分优化之后切110面,并加真空层。因为分子略大,这样切出来的110面a方向太短(~6A),因此再取2X1X1超胞。现在问题来了,虽然表面模型中掺杂总体比例和块体是一样的,但是Ta的分布是极其不均匀的(如图所示)。Ta在同一层中不同位置或分布于不同层对总能肯定是有影响的,如果用这种模型算分子吸附我觉得不合理。那么这种时候的表面模型到底该怎么建立呢?
1:把现在模型的中Ta分别分布在不同位置和不同层之间算总能,用能量最低的结构作为模型?
或2:直接用TiO2优化块体优化之后切110面,然后再手动掺Ta,用能量最低的结构作为模型?
或3.。。。
请大虾们多多指教

掺杂表面的分子吸附模型建立
TiO2_rutile (1 1 0).jpg
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Illusionist

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
鹰羽龙: 金币+20, ★有帮助 2014-04-26 19:41:53
体掺杂影响bulk的晶格参数,这对表层有一定影响。
建议:体掺杂bulk优化后,切一个面,然后在表层(最上面三层应该差不多了)不同位置放Ta。
真空层厚度最好测试一下,个人愚见·····
2楼2014-04-26 18:58:09
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by Illusionist at 2014-04-26 18:58:09
体掺杂影响bulk的晶格参数,这对表层有一定影响。
建议:体掺杂bulk优化后,切一个面,然后在表层(最上面三层应该差不多了)不同位置放Ta。
真空层厚度最好测试一下,个人愚见·····

要保持slab和bulk同样的掺杂比例的话slab中需要好几个Ta原子,TiO2的110面对称性挺高,组合起来估计不多。如果是一般的表面这样不同的位置组合可能有很多种可能性啊,文献中一般不会说这些具体的信息,不知道你说的是不是一般的处理方法呢?
3楼2014-04-26 19:45:47
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Illusionist

银虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 鹰羽龙 at 2014-04-26 19:45:47
要保持slab和bulk同样的掺杂比例的话slab中需要好几个Ta原子,TiO2的110面对称性挺高,组合起来估计不多。如果是一般的表面这样不同的位置组合可能有很多种可能性啊,文献中一般不会说这些具体的信息,不知道你说的 ...

我也没有算过掺杂的slab,只算过纯的面吸附,但是我看过一篇文章算不同位置的氧空位对其性质的影响,处理起来的时候就是把空位放在不同层。
另外我的意思是,表层的掺杂比例就不要考虑了,掺杂的影响已经体现在了晶格常数和固定层,所以下面的固定层可能要厚一些,底部需不需要接氢补偿,等等·····。
4楼2014-04-26 21:42:30
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X.Wang

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ...
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鹰羽龙: 金币+280, ★★★很有帮助, 50 2014-04-28 09:55:56
这要看你想讨论的问题,但我之前做表面掺杂对吸附的影响时,大致是这样讨论的:
1.未含掺杂的体材料ISIF=3优化
2.切110建立表面模型
3.先掺杂一个Ta,首先讨论其更倾向于替代表面的还是趋于体内(即靠近固定的部分)的Ti原子
4.在讨论多个Ta的掺杂问题
因为掺杂元素倾向表面和体内对吸附的影响必定是存在明显差别的,是必须讨论的,有很多掺杂物质,特别是较大的原子是倾向于表面偏析对吸附产生影响的,这也是为什么实验上很多物质掺杂比例很小影响却很大的缘故,就是因为掺进去的原子并不是均匀分布的而是出现了表面偏析而聚集在表面

但你的掺杂浓度比较大,所以会对晶格常数产生影响
实验上会有这么大的掺杂浓度么?
是不是应该从从体材料开始就应该不是一个晶胞里掺杂一个,而是超胞
建议还是浓度不要和实验差的太远
5楼2014-04-27 20:20:05
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

引用回帖:
5楼: Originally posted by X.Wang at 2014-04-27 20:20:05
这要看你想讨论的问题,但我之前做表面掺杂对吸附的影响时,大致是这样讨论的:
1.未含掺杂的体材料ISIF=3优化
2.切110建立表面模型
3.先掺杂一个Ta,首先讨论其更倾向于替代表面的还是趋于体内(即靠近固定的部 ...

实验上是可以掺到比6.25更高的浓度的,只是高浓度有可能出现间隙位掺杂什么的更复杂的情况。现在的浓度就是在2X2X2的超胞里掺的,不是一个晶胞掺一个。能否拜读一下您的论文?
6楼2014-04-28 09:55:53
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电化ODD

新虫 (初入文坛)

我毕业设计也是跟这个有关 根本一头雾水 导师瞎搞
7楼2015-03-14 19:46:25
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Li小喵

新虫 (初入文坛)

各位大神,我现在在做表面吸附,请问是先把体材料结构优化,然后在优化后的体材料上进行切面,然后再对切面进行结构优化吗?刚开始做,不太懂,求各位大神多多帮助
8楼2015-05-26 09:38:39
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by Li小喵 at 2015-05-26 09:38:39
各位大神,我现在在做表面吸附,请问是先把体材料结构优化,然后在优化后的体材料上进行切面,然后再对切面进行结构优化吗?刚开始做,不太懂,求各位大神多多帮助

思路正确
9楼2015-05-26 10:21:43
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