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鹰羽龙专家顾问
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掺杂表面的分子吸附模型建立 已有2人参与
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请教各位大侠一个问题，关于掺杂的表面模型建立该采用什么步骤？就用金红石相TiO2的110面作为例子吧，一个原胞含Ti2O4，先建2X2X2的超胞，用Ta替位掺杂一个Ti，这样块体掺杂比例6.25%，与实验掺杂比例基本可以相当。用ISIF=3把超胞充分优化之后切110面，并加真空层。因为分子略大，这样切出来的110面a方向太短（~6A），因此再取2X1X1超胞。现在问题来了，虽然表面模型中掺杂总体比例和块体是一样的，但是Ta的分布是极其不均匀的（如图所示）。Ta在同一层中不同位置或分布于不同层对总能肯定是有影响的，如果用这种模型算分子吸附我觉得不合理。那么这种时候的表面模型到底该怎么建立呢？ 1：把现在模型的中Ta分别分布在不同位置和不同层之间算总能，用能量最低的结构作为模型？ 或2：直接用TiO2优化块体优化之后切110面，然后再手动掺Ta，用能量最低的结构作为模型？ 或3.。。。 请大虾们多多指教   TiO2_rutile (1 1 0).jpg |
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这要看你想讨论的问题，但我之前做表面掺杂对吸附的影响时，大致是这样讨论的： 1.未含掺杂的体材料ISIF=3优化 2.切110建立表面模型 3.先掺杂一个Ta，首先讨论其更倾向于替代表面的还是趋于体内（即靠近固定的部分）的Ti原子 4.在讨论多个Ta的掺杂问题 因为掺杂元素倾向表面和体内对吸附的影响必定是存在明显差别的，是必须讨论的，有很多掺杂物质，特别是较大的原子是倾向于表面偏析对吸附产生影响的，这也是为什么实验上很多物质掺杂比例很小影响却很大的缘故，就是因为掺进去的原子并不是均匀分布的而是出现了表面偏析而聚集在表面 但你的掺杂浓度比较大，所以会对晶格常数产生影响 实验上会有这么大的掺杂浓度么？ 是不是应该从从体材料开始就应该不是一个晶胞里掺杂一个，而是超胞 建议还是浓度不要和实验差的太远 |
5楼2014-04-27 20:20:05
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