[求助] 掺杂表面的分子吸附模型建立 已有2人参与

请教各位大侠一个问题，关于掺杂的表面模型建立该采用什么步骤？就用金红石相TiO2的110面作为例子吧，一个原胞含Ti2O4，先建2X2X2的超胞，用Ta替位掺杂一个Ti，这样块体掺杂比例6.25%，与实验掺杂比例基本可以相当。用ISIF=3把超胞充分优化之后切110面，并加真空层。因为分子略大，这样切出来的110面a方向太短（~6A），因此再取2X1X1超胞。现在问题来了，虽然表面模型中掺杂总体比例和块体是一样的，但是Ta的分布是极其不均匀的（如图所示）。Ta在同一层中不同位置或分布于不同层对总能肯定是有影响的，如果用这种模型算分子吸附我觉得不合理。那么这种时候的表面模型到底该怎么建立呢？ 1：把现在模型的中Ta分别分布在不同位置和不同层之间算总能，用能量最低的结构作为模型？ 或2：直接用TiO2优化块体优化之后切110面，然后再手动掺Ta，用能量最低的结构作为模型？ 或3.。。。 请大虾们多多指教 TiO2_rutile (1 1 0).jpg

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