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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

[求助] 掺杂表面的分子吸附模型建立 已有2人参与

请教各位大侠一个问题,关于掺杂的表面模型建立该采用什么步骤?就用金红石相TiO2的110面作为例子吧,一个原胞含Ti2O4,先建2X2X2的超胞,用Ta替位掺杂一个Ti,这样块体掺杂比例6.25%,与实验掺杂比例基本可以相当。用ISIF=3把超胞充分优化之后切110面,并加真空层。因为分子略大,这样切出来的110面a方向太短(~6A),因此再取2X1X1超胞。现在问题来了,虽然表面模型中掺杂总体比例和块体是一样的,但是Ta的分布是极其不均匀的(如图所示)。Ta在同一层中不同位置或分布于不同层对总能肯定是有影响的,如果用这种模型算分子吸附我觉得不合理。那么这种时候的表面模型到底该怎么建立呢?
1:把现在模型的中Ta分别分布在不同位置和不同层之间算总能,用能量最低的结构作为模型?
或2:直接用TiO2优化块体优化之后切110面,然后再手动掺Ta,用能量最低的结构作为模型?
或3.。。。
请大虾们多多指教

掺杂表面的分子吸附模型建立
TiO2_rutile (1 1 0).jpg
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by Li小喵 at 2015-05-26 09:38:39
各位大神,我现在在做表面吸附,请问是先把体材料结构优化,然后在优化后的体材料上进行切面,然后再对切面进行结构优化吗?刚开始做,不太懂,求各位大神多多帮助

思路正确
9楼2015-05-26 10:21:43
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Illusionist

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
鹰羽龙: 金币+20, ★有帮助 2014-04-26 19:41:53
体掺杂影响bulk的晶格参数,这对表层有一定影响。
建议:体掺杂bulk优化后,切一个面,然后在表层(最上面三层应该差不多了)不同位置放Ta。
真空层厚度最好测试一下,个人愚见·····
2楼2014-04-26 18:58:09
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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by Illusionist at 2014-04-26 18:58:09
体掺杂影响bulk的晶格参数,这对表层有一定影响。
建议:体掺杂bulk优化后,切一个面,然后在表层(最上面三层应该差不多了)不同位置放Ta。
真空层厚度最好测试一下,个人愚见·····

要保持slab和bulk同样的掺杂比例的话slab中需要好几个Ta原子,TiO2的110面对称性挺高,组合起来估计不多。如果是一般的表面这样不同的位置组合可能有很多种可能性啊,文献中一般不会说这些具体的信息,不知道你说的是不是一般的处理方法呢?
3楼2014-04-26 19:45:47
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Illusionist

银虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 鹰羽龙 at 2014-04-26 19:45:47
要保持slab和bulk同样的掺杂比例的话slab中需要好几个Ta原子,TiO2的110面对称性挺高,组合起来估计不多。如果是一般的表面这样不同的位置组合可能有很多种可能性啊,文献中一般不会说这些具体的信息,不知道你说的 ...

我也没有算过掺杂的slab,只算过纯的面吸附,但是我看过一篇文章算不同位置的氧空位对其性质的影响,处理起来的时候就是把空位放在不同层。
另外我的意思是,表层的掺杂比例就不要考虑了,掺杂的影响已经体现在了晶格常数和固定层,所以下面的固定层可能要厚一些,底部需不需要接氢补偿,等等·····。
4楼2014-04-26 21:42:30
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