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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 其他 » 关于间接带隙半导体的第一激发态的组成
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liusm-jlu

金虫 (小有名气)

[求助] 关于间接带隙半导体的第一激发态的组成 已有1人参与

请问：对于间接带隙半导体，（1）电子应该是从基态激发到直接带隙的激发态，电子松弛到间接带隙能的第一激发态能的可能性是不是很小？因为直接带隙的激发态和间接带隙的激发态不在K空间的同一点。
（2）譬如间接带隙半导体ABCO，能不能认为直接带隙的第一激发能主要是由AB的轨道构成的，间接带隙的第一激发能是由CO轨道构成的？


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1楼 2014-03-12 19:47:38
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by liusm-jlu at 2014-03-13 23:37:09
（1）书上说间接带隙需要声子的帮助才能进行，所以不容易进行，也是个慢过程，而直接带隙不需要声子帮助，所以容易进行。另外跃迁是电子的行为，光子激发电子，使电子跃迁，电子的动量是不应该被忽略的，还有间接带 ...

（1）光子动量可由E=cp和E=hv二式计算得到。

周期性结构中，电子跃迁前后准动量差值也可以从布里渊区中对应K点间矢量模算得。

我以前估计过块体硅的，记得两者间至少差了三个数量级。

三重态和单重态涉及自旋，与直接和间接带隙无关。

（2）能说这个能级由哪个元素哪个轨道构成。
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6楼2014-03-14 09:52:49
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liqizuiyang

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liusm-jlu: 金币+30, ★★★很有帮助 2014-03-14 12:30:24
【1】不同K点对应的准动量不同，电子在不同K点间跃迁时准动量会发生改变。光子动量与准动量差值相比很小，因此光激发涉及的跃迁都是直接跃迁。跃迁之后，电子热弛豫到导带底，再退回到激发态。
【2】要分别算价带顶和间接带隙导带底对应的PDOS才能确定。
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2楼2014-03-13 09:42:30
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liusm-jlu

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-03-13 09:42:30
【1】不同K点对应的准动量不同，电子在不同K点间跃迁时准动量会发生改变。光子动量与准动量差值相比很小，因此光激发涉及的跃迁都是直接跃迁。跃迁之后，电子热弛豫到导带底，再退回到激发态。
【2】要分别算价带顶 ...

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3楼2014-03-13 23:28:43
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liusm-jlu

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by liqizuiyang at 2014-03-13 09:42:30
【1】不同K点对应的准动量不同，电子在不同K点间跃迁时准动量会发生改变。光子动量与准动量差值相比很小，因此光激发涉及的跃迁都是直接跃迁。跃迁之后，电子热弛豫到导带底，再退回到激发态。
【2】要分别算价带顶 ...

q1
4楼2014-03-13 23:29:19
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