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nanopg

金虫 (正式写手)

[求助] 半导体的能带结构求助

MS计算得到半导体的能带结构是这样的,那这种半导体的能隙如何确定啊?费米能级处得DOS也不为零啊?新手求助,谢谢指点!
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duyujie442

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


youzhizhe(金币+1): 谢谢参与交流。 2011-07-07 20:28:46
nanopg(金币+2): 2011-07-10 12:07:49
你计算的是体材料还是一个面?
2楼2011-07-07 17:04:33
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nanopg

金虫 (正式写手)

是FeWO4体材料
3楼2011-07-08 07:51:54
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匿名

用户注销 (正式写手)


zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-07-09 09:02:08
本帖仅楼主可见
4楼2011-07-08 22:47:48
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644522042

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-07-09 19:42:13
nanopg(金币+3): 2011-07-10 12:08:13
最好在origin里作图看看具体能隙,就是费米能级附近,也可以看出是直接带隙还是间接带隙(你这图坐标太大,看不清),另外,看看自己计算是否有误
5楼2011-07-09 19:40:19
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souledge

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖


nanopg(金币+3): 2011-07-10 12:08:41
zzy870720z(金币+1): 谢谢指点 2011-07-10 22:08:57
似乎CASTEP默认的高斯宽化系数有点大~如果真是这样,那么对于带隙很窄的材料,可能出现在费米面处态密度不为零的现象~
思想重于技巧,内涵重于表象
6楼2011-07-09 21:21:21
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nanopg

金虫 (正式写手)

谢谢各位!实验测得FeWO4的禁带宽度3 eV左右啊,难道是MS不适合处理这个体系啊?
我计算时用的计算标准都选的是ultrafine,方法是PBE,其它设置都没有改动啊,这会有什么问题啊?
7楼2011-07-10 11:42:03
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souledge

专家顾问 (著名写手)

★ ★ ★
mazuju028(金币+3): 谢谢交流 2011-07-10 22:36:28
引用回帖:
Originally posted by nanopg at 2011-07-10 11:42:03:
谢谢各位!实验测得FeWO4的禁带宽度3 eV左右啊,难道是MS不适合处理这个体系啊?
我计算时用的计算标准都选的是ultrafine,方法是PBE,其它设置都没有改动啊,这会有什么问题啊?

我觉得LZ在计算之前,先补补课吧,似乎对于第一性的计算,就当成点点鼠标的事情了。
首先,虽然MS给了所谓的Fine,Ultra-Fine的选项,但是那些选项不一定有用啊,所有的参数还是要根据自己来测试的,要真是软件都给你能设置那么完美了,那还要人来干嘛?直接摆个电脑,请个民工,来算就是了,算好了老板把数据一收集,就是文章了不是?
第二,我没做过这个体系,但是至于是否要考虑自旋,是否要考虑smearing,收敛的晶格参数又是多少,LZ都有想过么?
第三,实话说,第一性原理的计算对于不看理论的人来说,生成无用数据的概率非常高,尤其是使用MS这样有着过多默认值的软件(对于工业界做研发的,大体看个趋势,估计还能凑合,但是对于科研院所做研究的,这种默认值的确很大程度上比较有害,所以西方用MS做研究的人,其实很少,除了那些有源代码的人)建议LZ急着动手前,先看看相关的文章里都是怎么做的,顺便也看看一篇比较经典的文章:
Designing meaningful density functional theory calculations in materials science—a primer. Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 13 (2005) R1–R31
思想重于技巧,内涵重于表象
8楼2011-07-10 22:08:09
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nanopg

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by souledge at 2011-07-10 22:08:09:
我觉得LZ在计算之前,先补补课吧,似乎对于第一性的计算,就当成点点鼠标的事情了。
首先,虽然MS给了所谓的Fine,Ultra-Fine的选项,但是那些选项不一定有用啊,所有的参数还是要根据自己来测试的,要真是软 ...

我确实之前没用过MS,查了几篇处理钨酸盐的相关文献,参数也是参照文献里选的,希望能在文章里加上个能带图,看来不是想象那么容易
9楼2011-07-11 10:03:32
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