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飘在空中的雨

金虫 (小有名气)

[求助] 能带结构图 紧急求助

大家帮忙看看这个图,CASTEP  没有给出禁带宽度,那它是不是就没有带宽,而是导体呢?这个Sc 掺杂TiO2 的能带结构图
如果有禁带宽度,那它的带宽怎样才能知道?
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


zzy870720z(金币+1): 谢谢提示 2011-05-12 08:44:55
引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 12:47:35:
从你这个不合格的能带图来看,似乎有带隙,大约是1-2eV,说你这个图不合格,是指,范围太大,(-60----20),我们一般看的是Fermi能级附近的情况,范围在(-10----10)之间,如果看跟详细的能带结构,有时候只看( ...

gap的大小是一定要通过能带才能看出来的,dos有smear的影响
9楼2011-05-11 19:39:12
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-05-12 08:45:05
引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 17:28:04:
TiO2本身是一个有带隙的(认为他是一个绝缘体,因为绝缘体和半导体,就其本证性质是一样的),现在参入Sc,就会引入一个空穴,要是参入V,就会引入一个电子,(这时候要考虑掺杂浓度,但是无论参入的浓度再小从本 ...

费米能级的移动是杂质带导致的,所以从DOS中看费米能级在价带内是合理的,因为这是杂质带被包含在那个“价带”里面。因该排除杂质带
10楼2011-05-11 19:42:30
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普通回帖

howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


飘在空中的雨(金币+2): 2011-05-11 13:10:41
bingmou(金币+1): 感谢交流! 2011-05-11 19:38:45
从你这个不合格的能带图来看,似乎有带隙,大约是1-2eV,说你这个图不合格,是指,范围太大,(-60----20),我们一般看的是Fermi能级附近的情况,范围在(-10----10)之间,如果看跟详细的能带结构,有时候只看(-1---1)的情形。对了,能带图是看能带在K空间的分布,而你要是只看一下有没有带隙,你看一看DOS就可以了,用不着这么兴师动众的计算能带图!
别人痴心相待,你却惺惺作态,等到你真心萌动,却只能叹缘浅情深,徒留悲切----人若自侮,然后人必侮之;不敢反抗本国侵害者的民族,必然是不敢反抗异国侵略者...
2楼2011-05-11 12:47:35
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飘在空中的雨

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 12:47:35:
从你这个不合格的能带图来看,似乎有带隙,大约是1-2eV,说你这个图不合格,是指,范围太大,(-60----20),我们一般看的是Fermi能级附近的情况,范围在(-10----10)之间,如果看跟详细的能带结构,有时候只看( ...

你好,可是我的图做出来,它的范围就这么大(-60——20)怎么才能看到费米能及附近的情况呢?
3楼2011-05-11 13:30:56
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


bingmou(金币+1): 感谢你的热心帮助 2011-05-11 19:40:11
引用回帖:
Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-05-11 13:30:56:
你好,可是我的图做出来,它的范围就这么大(-60——20)怎么才能看到费米能及附近的情况呢?

这个我真不知道怎么设置。我计算能带图一般使用VASP,不过MS的数据是可以导入到origin里的,你拷贝那个能带图到.txt文件里,再导入origin里。就可以设置了,还有一个问题就是,你用能带图的方法看带隙,实在是不可取,因为你无法搜索全部K空间的能带信息,建议你用DOS.
别人痴心相待,你却惺惺作态,等到你真心萌动,却只能叹缘浅情深,徒留悲切----人若自侮,然后人必侮之;不敢反抗本国侵害者的民族,必然是不敢反抗异国侵略者...
4楼2011-05-11 13:37:17
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飘在空中的雨

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 13:37:17:
这个我真不知道怎么设置。我计算能带图一般使用VASP,不过MS的数据是可以导入到origin里的,你拷贝那个能带图到.txt文件里,再导入origin里。就可以设置了,还有一个问题就是,你用能带图的方法看带隙,实在是 ...

这是我做的它的DOS 图:

5楼2011-05-11 13:54:23
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wenjlu

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-05-11 13:54:23:
这是我做的它的DOS 图:

DOS图中显示出你设置的smear参数好像很大。 本来是半导体的,弄出了个金属的DOS
6楼2011-05-11 14:02:57
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢指点 2011-05-12 08:44:15
TiO2本身是一个有带隙的(认为他是一个绝缘体,因为绝缘体和半导体,就其本证性质是一样的),现在参入Sc,就会引入一个空穴,要是参入V,就会引入一个电子,(这时候要考虑掺杂浓度,但是无论参入的浓度再小从本质上还是引入了一个载流子)我个人觉得你这个结果挺合理的,(在MS这个软件里,即使是Si的fermi能级也向下移动一点,参入Al 当然要比Si的fermi能级要再向下移动,不妨你先计算一下TiO2的DOS,然后计算一下参入Sc的体系,或者参入V的体系的DOS,进行比较,记得加了掺杂要重新优化几何结构!)fermi能级向下一点是一个好的结果,因为引入了一个局域的空穴!就好像单晶Si里参杂进去一个Al原子的效果是一样的!
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7楼2011-05-11 17:28:04
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
bingmou(金币+3, 1ST强帖+1): 感谢你的热心帮助 2011-05-11 19:41:14
引用回帖:
Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-05-11 13:54:23:
这是我做的它的DOS 图:

fig1.Si8----smearing=0.01
fig2.Si8---fixed
fig3.AlSi7---smearing=0.01
fig4.PSi7-----smearing=0.01
结论:
1.可以看到,参杂的影响!非常明显,fermi能级的移动.
2.MS这个软件不是很精细,Si的fixed和smearing=0.01都一样,一样在费米能级处不等于0.
3.本人对结论1以前不是很确定,这回证实了fermi能级的移动,谢谢你的这个问题!







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8楼2011-05-11 18:05:08
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