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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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飘在空中的雨

金虫 (小有名气)

[求助] 能带结构图 紧急求助

大家帮忙看看这个图，CASTEP  没有给出禁带宽度，那它是不是就没有带宽，而是导体呢？这个Sc 掺杂TiO2 的能带结构图
如果有禁带宽度，那它的带宽怎样才能知道？
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1楼 2011-05-11 11:37:44
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
zzy870720z(金币+1): 谢谢提示 2011-05-12 08:44:55
引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 12:47:35:
从你这个不合格的能带图来看，似乎有带隙，大约是1-2eV，说你这个图不合格，是指，范围太大，（-60----20），我们一般看的是Fermi能级附近的情况，范围在（-10----10）之间，如果看跟详细的能带结构，有时候只看（ ...

gap的大小是一定要通过能带才能看出来的，dos有smear的影响
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9楼2011-05-11 19:39:12
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-05-12 08:45:05
引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 17:28:04:
TiO2本身是一个有带隙的（认为他是一个绝缘体，因为绝缘体和半导体，就其本证性质是一样的），现在参入Sc，就会引入一个空穴，要是参入V，就会引入一个电子，（这时候要考虑掺杂浓度，但是无论参入的浓度再小从本 ...

费米能级的移动是杂质带导致的，所以从DOS中看费米能级在价带内是合理的，因为这是杂质带被包含在那个“价带”里面。因该排除杂质带
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10楼2011-05-11 19:42:30
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
飘在空中的雨(金币+2): 2011-05-11 13:10:41
bingmou(金币+1): 感谢交流！ 2011-05-11 19:38:45
从你这个不合格的能带图来看，似乎有带隙，大约是1-2eV，说你这个图不合格，是指，范围太大，（-60----20），我们一般看的是Fermi能级附近的情况，范围在（-10----10）之间，如果看跟详细的能带结构，有时候只看（-1---1）的情形。对了，能带图是看能带在K空间的分布，而你要是只看一下有没有带隙，你看一看DOS就可以了，用不着这么兴师动众的计算能带图！
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别人痴心相待，你却惺惺作态，等到你真心萌动，却只能叹缘浅情深，徒留悲切----人若自侮，然后人必侮之;不敢反抗本国侵害者的民族，必然是不敢反抗异国侵略者...
2楼2011-05-11 12:47:35
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飘在空中的雨

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 12:47:35:
从你这个不合格的能带图来看，似乎有带隙，大约是1-2eV，说你这个图不合格，是指，范围太大，（-60----20），我们一般看的是Fermi能级附近的情况，范围在（-10----10）之间，如果看跟详细的能带结构，有时候只看（ ...

你好，可是我的图做出来，它的范围就这么大（-60——20）怎么才能看到费米能及附近的情况呢？
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3楼2011-05-11 13:30:56
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
bingmou(金币+1): 感谢你的热心帮助 2011-05-11 19:40:11
引用回帖:
Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-05-11 13:30:56:
你好，可是我的图做出来，它的范围就这么大（-60——20）怎么才能看到费米能及附近的情况呢？

这个我真不知道怎么设置。我计算能带图一般使用VASP，不过MS的数据是可以导入到origin里的，你拷贝那个能带图到.txt文件里，再导入origin里。就可以设置了，还有一个问题就是，你用能带图的方法看带隙，实在是不可取，因为你无法搜索全部K空间的能带信息，建议你用DOS.
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4楼2011-05-11 13:37:17
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飘在空中的雨

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 13:37:17:
这个我真不知道怎么设置。我计算能带图一般使用VASP，不过MS的数据是可以导入到origin里的，你拷贝那个能带图到.txt文件里，再导入origin里。就可以设置了，还有一个问题就是，你用能带图的方法看带隙，实在是 ...

这是我做的它的DOS 图：
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5楼2011-05-11 13:54:23
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wenjlu

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-05-11 13:54:23:
这是我做的它的DOS 图：

DOS图中显示出你设置的smear参数好像很大。 本来是半导体的，弄出了个金属的DOS
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6楼2011-05-11 14:02:57
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢指点 2011-05-12 08:44:15
TiO2本身是一个有带隙的（认为他是一个绝缘体，因为绝缘体和半导体，就其本证性质是一样的），现在参入Sc，就会引入一个空穴，要是参入V，就会引入一个电子，（这时候要考虑掺杂浓度，但是无论参入的浓度再小从本质上还是引入了一个载流子）我个人觉得你这个结果挺合理的，（在MS这个软件里，即使是Si的fermi能级也向下移动一点，参入Al 当然要比Si的fermi能级要再向下移动，不妨你先计算一下TiO2的DOS，然后计算一下参入Sc的体系，或者参入V的体系的DOS，进行比较，记得加了掺杂要重新优化几何结构！）fermi能级向下一点是一个好的结果，因为引入了一个局域的空穴！就好像单晶Si里参杂进去一个Al原子的效果是一样的！
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7楼2011-05-11 17:28:04
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
bingmou(金币+3, 1ST强帖+1): 感谢你的热心帮助 2011-05-11 19:41:14
引用回帖:
Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-05-11 13:54:23:
这是我做的它的DOS 图：

fig1.Si8----smearing=0.01
fig2.Si8---fixed
fig3.AlSi7---smearing=0.01
fig4.PSi7-----smearing=0.01
结论：
1.可以看到，参杂的影响！非常明显，fermi能级的移动.
2.MS这个软件不是很精细，Si的fixed和smearing=0.01都一样，一样在费米能级处不等于0.
3.本人对结论1以前不是很确定，这回证实了fermi能级的移动,谢谢你的这个问题！
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8楼2011-05-11 18:05:08
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