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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 能带结构图 紧急求助
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-05-12 18:14:18
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2011-05-11 19:39:12:
gap的大小是一定要通过能带才能看出来的，dos有smear的影响

我以前认为，DOS是从能带图上统计过来的，我顺便问问，既然DOS会被smearing影响，为什么能带图里的能带位置不会被影响？（计算能带图的时候，是在计算好了体系的电荷分布、态函数的基础上计算出来的，就是首先计算样品，然后在样品上测出能带图，现在连样品都受到smearing的影响，为什么测量值‘能带图’不会被影响？）我当时这么理解，还请前辈指教。（来自VASP学习时，首先进行自洽计算，这时候整个体系都受到smearing影响，当时就能出来DOS；而后来进行的非自洽计算，是在自洽计算出来的CHGCAR的基础上，进一步得到了能带图，他是怎么甩掉smearing影响的。）也许我对计算过程了解的还是不够深，谢谢！
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别人痴心相待，你却惺惺作态，等到你真心萌动，却只能叹缘浅情深，徒留悲切----人若自侮，然后人必侮之;不敢反抗本国侵害者的民族，必然是不敢反抗异国侵略者...
11楼2011-05-11 22:40:16
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bingmou

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
zzy870720z(金币+1): 谢谢提示 2011-05-12 08:45:30
引用回帖:
Originally posted by howberg at 2011-05-11 22:40:16:
我以前认为，DOS是从能带图上统计过来的，我顺便问问，既然DOS会被smearing影响，为什么能带图里的能带位置不会被影响？（计算能带图的时候，是在计算好了体系的电荷分布、态函数的基础上计算出来的，就是首先 ...

能带图上的每一个点都是通过计算不同的k点的波动方程得到的本征值，和smearing没有任何关系
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12楼2011-05-11 23:00:05
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howberg

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

youzhizhe: 如此回复请不要选择应助回帖。谢谢合作。 2011-05-12 18:08:45
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2011-05-11 23:00:05:
能带图上的每一个点都是通过计算不同的k点的波动方程得到的本征值，和smearing没有任何关系

原来如此！谢谢，学习了！
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别人痴心相待，你却惺惺作态，等到你真心萌动，却只能叹缘浅情深，徒留悲切----人若自侮，然后人必侮之;不敢反抗本国侵害者的民族，必然是不敢反抗异国侵略者...
13楼2011-05-12 12:42:13
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liuupc919

新虫 (小有名气)
引用回帖:
932594楼: Originally posted by 飘在空中的雨 at 2011-05-11 11:37:44
大家帮忙看看这个图，CASTEP  没有给出禁带宽度，那它是不是就没有带宽，而是导体呢？这个Sc 掺杂TiO2 的能带结构图
如果有禁带宽度，那它的带宽怎样才能知道？

从图中 怎么看禁带、导带、价带？
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14楼2013-01-21 22:28:27
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liuupc919

新虫 (小有名气)
引用回帖:
941190楼: Originally posted by wenjlu at 2011-05-11 14:02:57
DOS图中显示出你设置的smear参数好像很大。 本来是半导体的，弄出了个金属的DOS...

这个怎么看出“smear参数好像很大”，求赐教。
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15楼2013-01-22 09:19:54
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liuupc919

新虫 (小有名气)
引用回帖:
958824楼: Originally posted by bingmou at 2011-05-11 19:39:12
gap的大小是一定要通过能带才能看出来的，dos有smear的影响...

“dos有smear的影响”，这个是怎么看出来的？
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16楼2013-01-22 09:21:49
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liuupc919

新虫 (小有名气)
引用回帖:
952167楼: Originally posted by howberg at 2011-05-11 17:28:04
TiO2本身是一个有带隙的（认为他是一个绝缘体，因为绝缘体和半导体，就其本证性质是一样的），现在参入Sc，就会引入一个空穴，要是参入V，就会引入一个电子，（这时候要考虑掺杂浓度，但是无论参入的浓度再小从本质 ...

为什么说“fermi能级向下一点是一个好的结果”，能不能给解释下？
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17楼2013-01-22 09:27:42
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ning007

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
941190楼: Originally posted by wenjlu at 2011-05-11 14:02:57
DOS图中显示出你设置的smear参数好像很大。 本来是半导体的，弄出了个金属的DOS...

请问您如何从能带图中看出smear值的？还有smear值的设定有什么意义或者说何时设定？望指教。。。
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18楼2013-03-12 15:40:34
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pengliusss

木虫 (小有名气)
引用回帖:
952167楼: Originally posted by howberg at 2011-05-11 17:28:04
TiO2本身是一个有带隙的（认为他是一个绝缘体，因为绝缘体和半导体，就其本证性质是一样的），现在参入Sc，就会引入一个空穴，要是参入V，就会引入一个电子，（这时候要考虑掺杂浓度，但是无论参入的浓度再小从本质 ...

您好，我可以理解为引入空穴，fermi下移（向价带方向）；引入电子，fermi上移（向导带方向）。
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19楼2013-03-25 11:19:38
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pengliusss

木虫 (小有名气)
引用回帖:
959020楼: Originally posted by bingmou at 2011-05-11 19:42:30
费米能级的移动是杂质带导致的，所以从DOS中看费米能级在价带内是合理的，因为这是杂质带被包含在那个“价带”里面。因该排除杂质带...

您好，我和LZ一样的掺杂，但是我就算不掺杂：费米能级也在价带内，DOS图请见：http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=5667483
谢谢了！
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20楼2013-03-25 11:22:54
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