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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 半导体的能带结构求助
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nanopg

金虫 (正式写手)

[求助] 半导体的能带结构求助

MS计算得到半导体的能带结构是这样的，那这种半导体的能隙如何确定啊？费米能级处得DOS也不为零啊？新手求助，谢谢指点！
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1楼 2011-07-07 14:50:47
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nanopg

金虫 (正式写手)
谢谢各位！实验测得FeWO4的禁带宽度3 eV左右啊，难道是MS不适合处理这个体系啊？
我计算时用的计算标准都选的是ultrafine，方法是PBE，其它设置都没有改动啊，这会有什么问题啊？
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7楼2011-07-10 11:42:03
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duyujie442

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
youzhizhe(金币+1): 谢谢参与交流。 2011-07-07 20:28:46
nanopg(金币+2): 2011-07-10 12:07:49
你计算的是体材料还是一个面？
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2楼2011-07-07 17:04:33
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匿名

用户注销 (正式写手)
★
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-07-09 09:02:08
本帖仅楼主可见
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4楼2011-07-08 22:47:48
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644522042

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-07-09 19:42:13
nanopg(金币+3): 2011-07-10 12:08:13
最好在origin里作图看看具体能隙，就是费米能级附近，也可以看出是直接带隙还是间接带隙（你这图坐标太大，看不清），另外，看看自己计算是否有误
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5楼2011-07-09 19:40:19
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