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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 半导体的能带结构求助
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nanopg

金虫 (正式写手)

[求助] 半导体的能带结构求助

MS计算得到半导体的能带结构是这样的，那这种半导体的能隙如何确定啊？费米能级处得DOS也不为零啊？新手求助，谢谢指点！
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1楼2011-07-07 14:50:47
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nanopg

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by souledge at 2011-07-10 22:08:09:
我觉得LZ在计算之前，先补补课吧，似乎对于第一性的计算，就当成点点鼠标的事情了。
首先，虽然MS给了所谓的Fine，Ultra-Fine的选项，但是那些选项不一定有用啊，所有的参数还是要根据自己来测试的，要真是软 ...

我确实之前没用过MS，查了几篇处理钨酸盐的相关文献，参数也是参照文献里选的，希望能在文章里加上个能带图，看来不是想象那么容易
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9楼2011-07-11 10:03:32
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duyujie442

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
youzhizhe(金币+1): 谢谢参与交流。 2011-07-07 20:28:46
nanopg(金币+2): 2011-07-10 12:07:49
你计算的是体材料还是一个面？
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2楼2011-07-07 17:04:33
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匿名

用户注销 (正式写手)
★
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-07-09 09:02:08
本帖仅楼主可见
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4楼2011-07-08 22:47:48
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644522042

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-07-09 19:42:13
nanopg(金币+3): 2011-07-10 12:08:13
最好在origin里作图看看具体能隙，就是费米能级附近，也可以看出是直接带隙还是间接带隙（你这图坐标太大，看不清），另外，看看自己计算是否有误
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5楼2011-07-09 19:40:19
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