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符冬营

金虫 (小有名气)


[交流] 【讨论】宽带隙半导体材料

弱弱的问下,是宽带隙的半导体材料好还是窄带隙的好啊?为什么?
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liruizhen007

金虫 (小有名气)



符冬营(金币+1):谢谢参与
符冬营(金币+1): 2010-12-02 10:03:56
禁带宽的不容易使电子进入导带,进而导电,比较稳定;窄禁带相反
2楼2010-12-01 13:50:05
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bingyu0729

至尊木虫 (职业作家)



符冬营(金币+1):谢谢参与
符冬营(金币+1): 2010-12-02 10:04:12
宽带隙的半导体材料太阳光的利用率不高,窄带隙的其利用率高,但是都存在载流子符合的问题,一般有三种方法来提高载流子的寿命。
3楼2010-12-01 18:31:30
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peem

金虫 (正式写手)



符冬营(金币+1):谢谢参与
哪三种方法提高载流子寿命?请明示
引用回帖:
Originally posted by bingyu0729 at 2010-12-01 18:31:30:
宽带隙的半导体材料太阳光的利用率不高,窄带隙的其利用率高,但是都存在载流子符合的问题,一般有三种方法来提高载流子的寿命。

4楼2010-12-01 23:33:12
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liruizhen007

金虫 (小有名气)



小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
掺杂电子受体阻止电子和空穴的复合
5楼2010-12-02 13:56:31
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peem

金虫 (正式写手)



小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
那么掺杂电子给体也应该可以阻止电子空穴的复合了?
另外,不是电子空穴很容易在trap state上面复合么?那么掺杂电子给体或者受体,同时是不是也形成了一些电子或者空穴的trap,这样会不会反而促进了电子空穴的复合?
如何知道什么情况下下掺杂是有助于电子空穴的分离,什么情况下掺杂反而有助于电子空穴的复合?
请指教。
引用回帖:
Originally posted by liruizhen007 at 2010-12-02 13:56:31:
掺杂电子受体阻止电子和空穴的复合

6楼2010-12-04 00:54:46
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jiayq1020

新虫 (正式写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
6楼: Originally posted by peem at 2010-12-04 00:54:46
那么掺杂电子给体也应该可以阻止电子空穴的复合了?
另外,不是电子空穴很容易在trap state上面复合么?那么掺杂电子给体或者受体,同时是不是也形成了一些电子或者空穴的trap,这样会不会反而促进了电子空穴的复合 ...

和掺杂量的多少有关,掺杂太多了就可能重新形成光生电子和空穴的复合中心
7楼2014-07-08 14:05:32
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