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【讨论】宽带隙半导体材料
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符冬营
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[交流]
【讨论】宽带隙半导体材料
弱弱的问下,是宽带隙的半导体材料好还是窄带隙的好啊?为什么?
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1楼
2010-11-29 17:34:47
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peem
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★
小木虫(金币
+0.5
):给个红包,谢谢回帖交流
那么掺杂电子给体也应该可以阻止电子空穴的复合了?
另外,不是电子空穴很容易在trap state上面复合么?那么掺杂电子给体或者受体,同时是不是也形成了一些电子或者空穴的trap,这样会不会反而促进了电子空穴的复合?
如何知道什么情况下下掺杂是有助于电子空穴的分离,什么情况下掺杂反而有助于电子空穴的复合?
请指教。
引用回帖:
Originally posted by
liruizhen007
at 2010-12-02 13:56:31:
掺杂电子受体阻止电子和空穴的复合
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6楼
2010-12-04 00:54:46
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liruizhen007
金虫
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★
符冬营(金币
+1
):谢谢参与
符冬营(金币+1): 2010-12-02 10:03:56
禁带宽的不容易使电子进入导带,进而导电,比较稳定;窄禁带相反
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2楼
2010-12-01 13:50:05
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bingyu0729
至尊木虫
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★
符冬营(金币
+1
):谢谢参与
符冬营(金币+1): 2010-12-02 10:04:12
宽带隙的半导体材料太阳光的利用率不高,窄带隙的其利用率高,但是都存在载流子符合的问题,一般有三种方法来提高载流子的寿命。
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3楼
2010-12-01 18:31:30
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peem
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★
符冬营(金币
+1
):谢谢参与
哪三种方法提高载流子寿命?请明示
引用回帖:
Originally posted by
bingyu0729
at 2010-12-01 18:31:30:
宽带隙的半导体材料太阳光的利用率不高,窄带隙的其利用率高,但是都存在载流子符合的问题,一般有三种方法来提高载流子的寿命。
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4楼
2010-12-01 23:33:12
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