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Joseph820铁杆木虫 (正式写手)
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[求助]
MEMS工艺中做lift off 结果不理想 已有4人参与
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| 在一个10mm*20mm*1mm的不锈钢片上做一个微加热器,pattern的最小尺度是50微米,在基底(不锈钢片)上沉积了5微米厚的二氧化硅,之后在上面用HR504做光刻胶,然后dc sputtering了200nm 铂. 最后做lift off花费了两周都没有把图案完全做出来,只有一小部分的铂才掉下来,不知道是什么原因,恳请各位高人帮忙解答~ |
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xiangmengli
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2楼2014-02-12 18:48:48
3楼2014-02-13 10:07:08
Joseph820
铁杆木虫 (正式写手)
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4楼2014-02-15 20:58:26
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5楼2014-03-10 17:41:50
6楼2014-03-12 12:53:11
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【答案】应助回帖
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Joseph820: 金币+5, ★★★很有帮助, 已经找到问题原因啦,1.pattern有长线条阵列;2.光刻胶薄了些,已经换更厚的胶OK的. 谢谢你的帮助啊 2014-03-16 16:27:53
Joseph820: 金币+5, ★★★很有帮助, 已经找到问题原因啦,1.pattern有长线条阵列;2.光刻胶薄了些,已经换更厚的胶OK的. 谢谢你的帮助啊 2014-03-16 16:27:53
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1. 你的pattern有没有长线条阵列？有的话可能会增加liftoff难度； 2. sputter的温度多少？sputter很可能会超过150C，这种温度下有些光刻胶就变质了，丙酮什么的根本去不掉。或者说可以考虑蒸发镀膜，这个温度会低一点。 3. 确定光刻胶没有过期？ 4. 光刻胶多厚？薄的话不容易去胶； 5.考虑超声。但是得保证Pt和SiO2的黏附性足够好，或者说你Pt底下有没有Ti或者其它金属层（标准做法是Ti+Au+Pt）； 6. 考虑稍微加热，比如60C。 |
7楼2014-03-13 23:45:48
8楼2015-09-28 19:54:44
