24小时热门版块排行榜    

查看: 2265  |  回复: 7
当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖

Joseph820

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] MEMS工艺中做lift off 结果不理想 已有4人参与

在一个10mm*20mm*1mm的不锈钢片上做一个微加热器,pattern的最小尺度是50微米,在基底(不锈钢片)上沉积了5微米厚的二氧化硅,之后在上面用HR504做光刻胶,然后dc sputtering了200nm 铂. 最后做lift off花费了两周都没有把图案完全做出来,只有一小部分的铂才掉下来,不知道是什么原因,恳请各位高人帮忙解答~
回复此楼
言必信,行必果.
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

myIDname

木虫 (著名写手)

人民大会堂首席清洁工

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
Joseph820: 金币+5, ★★★很有帮助, 已经找到问题原因啦,1.pattern有长线条阵列;2.光刻胶薄了些,已经换更厚的胶OK的. 谢谢你的帮助啊 2014-03-16 16:27:53
1. 你的pattern有没有长线条阵列?有的话可能会增加liftoff难度;

2. sputter的温度多少?sputter很可能会超过150C,这种温度下有些光刻胶就变质了,丙酮什么的根本去不掉。或者说可以考虑蒸发镀膜,这个温度会低一点。

3. 确定光刻胶没有过期?

4. 光刻胶多厚?薄的话不容易去胶;

5.考虑超声。但是得保证Pt和SiO2的黏附性足够好,或者说你Pt底下有没有Ti或者其它金属层(标准做法是Ti+Au+Pt);

6. 考虑稍微加热,比如60C。
我们这里有勇敢的人民/荜路蓝缕以启山林/我们这里有无穷的生命/水牛稻米香蕉玉兰花
7楼2014-03-13 23:45:48
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 8 个回答

xiangmengli

金虫 (正式写手)

微纳米小木虫

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
光刻胶的厚度需要在1um以上。光刻胶图案的棱边垂直度不够,也许曝光或者显影参数不太好,应先保证棱边足够垂直。在溅射金属铂之前需要溅射一层钛作为过渡层,另外铂的厚度100纳米足够了。祝你好运!
梅花香自苦寒来
2楼2014-02-12 18:48:48
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

haerbin06

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
首先你的镀金工艺就是不可取的,,,,应该改为 eb evaporation,  

另外,检查下你的胶厚, 一般来说,,使用负胶,欠曝光, 过develop,就会实现负角度,这样 剥离肯定会成功
我很好
3楼2014-02-13 10:07:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Joseph820

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by haerbin06 at 2014-02-13 10:07:08
首先你的镀金工艺就是不可取的,,,,应该改为 eb evaporation,  

另外,检查下你的胶厚, 一般来说,,使用负胶,欠曝光, 过develop,就会实现负角度,这样 剥离肯定会成功

您好,镀金工艺我们学校只有dc sputtering这么一种啊,没有办法选择,温度我选择的是常温.胶厚大概1.5微米到2微米的样子,如果选用负胶的话是否意味着我的mask都需要重新去做,变成light field?
言必信,行必果.
4楼2014-02-15 20:58:26
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
信息提示
请填处理意见