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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 机械 » 机械制造 » MEMS工艺中做lift off 结果不理想
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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Joseph820

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] MEMS工艺中做lift off 结果不理想 已有4人参与

在一个10mm*20mm*1mm的不锈钢片上做一个微加热器,pattern的最小尺度是50微米,在基底(不锈钢片)上沉积了5微米厚的二氧化硅,之后在上面用HR504做光刻胶,然后dc sputtering了200nm 铂. 最后做lift off花费了两周都没有把图案完全做出来,只有一小部分的铂才掉下来,不知道是什么原因,恳请各位高人帮忙解答~
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言必信,行必果.
1楼 2014-02-10 17:51:41
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reccnrain

捐助贵宾 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
5楼2014-03-10 17:41:50
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xiangmengli

金虫 (正式写手)

微纳米小木虫

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
光刻胶的厚度需要在1um以上。光刻胶图案的棱边垂直度不够，也许曝光或者显影参数不太好，应先保证棱边足够垂直。在溅射金属铂之前需要溅射一层钛作为过渡层，另外铂的厚度100纳米足够了。祝你好运！
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梅花香自苦寒来
2楼2014-02-12 18:48:48
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haerbin06

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
首先你的镀金工艺就是不可取的，，，，应该改为 eb evaporation,  

另外，检查下你的胶厚， 一般来说，，使用负胶，欠曝光， 过develop，就会实现负角度，这样 剥离肯定会成功
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我很好
3楼2014-02-13 10:07:08
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Joseph820

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by haerbin06 at 2014-02-13 10:07:08
首先你的镀金工艺就是不可取的，，，，应该改为 eb evaporation,  

另外，检查下你的胶厚， 一般来说，，使用负胶，欠曝光， 过develop，就会实现负角度，这样 剥离肯定会成功

您好,镀金工艺我们学校只有dc sputtering这么一种啊,没有办法选择,温度我选择的是常温.胶厚大概1.5微米到2微米的样子,如果选用负胶的话是否意味着我的mask都需要重新去做,变成light field?
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言必信,行必果.
4楼2014-02-15 20:58:26
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