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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » PECVD沉积SiO2
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drgonwang

铁杆木虫 (小有名气)

[求助] PECVD沉积SiO2

在P型硅晶面参数是100，wafer表面沉积SiO2,沉积的厚度在15nm左右，使用的是OXFORD 100，使用标准工艺是60nm/min。减少沉积时间但是也得不到需要厚度。不知道各位大侠有啥好建议？
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1楼2013-12-04 09:21:09
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
换recipe，把沉积速度降到10nm/min。
这个厚度，国产设备照样做的好好的。
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drgonwang
2楼2013-12-04 11:30:01
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drgonwang

铁杆木虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-12-04 11:30:01
换recipe，把沉积速度降到10nm/min。
这个厚度，国产设备照样做的好好的。

您方便给我点参数上的建议吗？小弟刚接手工艺不久，有点蒙，还希望多多指点。
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3楼2013-12-04 12:30:47
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