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金属半导体接触
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金属半导体接触加外压后势垒会因为镜象力和遂穿效应而变化，那么KFM测量的其实是已经变化了的接触势，是吗？ 半导体表面处能带有弯曲，功函数也改变了，但是内部是否不变。也就是说费米能级同Ec,Ev一起，在表面处有弯曲。 KFM针尖和表面态之间的接触势加上表面态和半导体的表面势就是KFM测得的“接触势”，是吗？ 耗尽层是空间中，还是半导体表面处的，它究竟起了什么作用？和接触势是什么关系。它和势垒区什么关系。 答得好可追加 |
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2楼2013-09-21 19:21:36
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华丽的飘过: 金币+3, 3q 2013-10-01 21:08:46
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华丽的飘过: 金币+3, 3q 2013-10-01 21:08:46
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几乎所有的有源探测都会改变样品的本来面貌 异质材料界面层附近的电子能量状态与体材料不同 当然 仅限于界面附近 至于 费米能级 价带 导带 等概念所对应的数值 自然会有所不同 但通常会说成 界面等效**** 探针材料与被测界面之间存在“接触势” 通常界面两侧材料的测量值差 可以消掉这个值 但是 对薄界面 由于隧穿效应比较复杂 相消处理 并不精确 关于 耗尽层 各种版本的 半导体物理（学） 都有介绍 书上说的很清楚 这里不再把它们从书上般过来了 |
3楼2013-09-22 07:58:33
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4楼2013-09-22 11:18:08
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