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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 金属与半导体接触的能带问题
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pinbowlf

银虫 (小有名气)

[求助] 金属与半导体接触的能带问题

最近在看刘恩科的半导体物理学的第7章，金属和半导体的接触。 其中的一个能带问题不太懂，从能带图中看出，金属和半导体（b）间隙很大时， ,但是（C）紧密接触时，Ws-Wm=q(Vms+Vs),到这里就看不出来了，从图上看的话，Ws-Wm应该永远等于qVms啊？？？？请高手指教！！！
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1楼2011-11-22 16:51:58
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pinbowlf

银虫 (小有名气)

忘了传图片了
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2楼2011-11-22 16:53:38
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sdghxx

禁虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽
3楼2011-11-23 15:56:21
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lxd5186

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
nofrunolif(金币+1): 鼓励交流 2011-12-05 09:24:50
pinbowlf(金币+1): 谢谢 2011-12-07 12:45:59
紧密接触后要受半导体表面态钉扎效应的影响，才多出Vs!
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爱生活，爱自己，
4楼2011-12-05 09:16:30
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pinbowlf

银虫 (小有名气)
★ ★
nofrunolif(金币+1): 欢迎交流， 2011-12-07 17:48:56
nofrunolif(金币+1): 欢迎交流， 2011-12-07 17:49:15
其实，我已经知道了，从能带图上看，Ws=X+En, Wm=En+qVs+X+qVms,两式可得出Ws-Wm=q(Vs+Vms),
这里电子亲和能X和En是不变的，Ws也不会变
其物理含义就是菲米能级上的电子先到导带，然后从体内到表面需越过一个势垒qVs，然后再电子亲和能的帮助下到真空，还要再经过一个接触电势能到金属表面。
赞一下(3人) 回复此楼
5楼2011-12-07 12:56:43
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