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【求助】热压烧结问题
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houjunyan
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[交流]
【求助】热压烧结问题
本人目前正在制样,一是MgCu2;再就是添加Si进行合金化,含量最多是13at%
烧结MgCu2,温度预选为640度,20Mpa,烧结时间1小时,但不知这个温度烧结添加Si 的样,烧结效果会怎样,我担心烧结温度不高,烧不好;
因为本课题组没有烧结炉,得拿到外面去做,所以不可能做很多的探索性试验,所以想请教高手,
1:如果烧结温度低,对力学性能有何影响;
2:前期835度烧结过添加硅的,20g,烧出来的样7mm*25mm,感觉还可以,流出来的不多,这次选640度,不知可行不;况且Mg的熔点太低,上次MgCu2烧结温度选790度,厚度就2mm左右,流出来很多,试样不能用,我想对比未合金化和合金化后的性能,制备条件不一样没法比较,请高手帮忙讨论
[
Last edited by 钢铁盒子 on 2011-4-2 at 22:13
]
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2010-11-09 08:56:13
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houjunyan
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怎么没人理呀,
,自己先顶下
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2010-11-09 09:55:22
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★
houjunyan(金币
+1
):谢谢参与
那就去查下合金的相图了,在那里可以大致确定温度范围
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3楼
2010-11-09 10:25:49
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houjunyan
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caocao4735(金币+1):谢谢交流 2010-11-09 21:30:57
caocao4735(金币-1):不好意思 发错了 2010-11-09 21:31:11
一般无机非金属材料的普通烧结温度TS≈0.8~0.7TM(熔点),而热压烧结温度THP≈0.5~0.6 TM(熔点),弱弱的问一句,此时的TM指的是 烧结成分各元素的熔点还是 最终化合物(产物)的熔点
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2010-11-09 15:12:26
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houjunyan
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对于无机非金属是这种情况,那对于金属间化合物呢,望高手赐教
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2010-11-09 15:18:30
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银虫
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houjunyan(金币
+1
):谢谢参与
houjunyan(金币+5): 2010-11-09 15:27:48
caocao4735(金币+1):谢谢交流 2010-11-09 21:31:22
1 烧结温度低,密度低,力学性能自然急剧下降。
2 加入13at%Si,估计不易烧结起来,硅的熔点太高(>1410oC),你加入的量又很多。
3 硅粉表面有氧化膜,也不利于烧结和合金化,使用前是否需要清洗?
另外,除烧结温度和时间外,硅粉的粒度也需要考虑,可能越细越好
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6楼
2010-11-09 15:22:46
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houjunyan(金币+1): 谢谢参与
温度640摄氏度,要烧2天左右,如果是760摄氏度,2小时就够了,但是一定会流出来很多。
这是我的观点。酌情参考。
保护气体肯定是要的。烧结压力1~2MPa估计够用。压力大,流出来也多
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7楼
2013-05-31 20:56:11
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houjunyan(金币+1): 谢谢参与
Mg的熔点和其他组元差别太大。可以考虑先球磨,然后再烧结
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8楼
2013-05-31 23:59:27
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