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caowuxing

金虫 (小有名气)

[求助] 薄膜退火温度的确定

大家好,弱弱的问个问题,小弟用蒸发法制备Te2薄膜,Te2的熔点是425度,我把衬底温度加到170度时就已经蒸不上去了,现在是要把常温下制备的薄膜退火,希望结晶性更好一些,但是不知道退火温度多少合适,请大家给点建议,多谢多谢!!
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caowuxing

金虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by huaxuejidi at 2013-07-28 10:20:21
我记得纯金属再结晶温度(T再)与熔点(T熔)的关系为:T再约等于0.4倍T熔,因此我认为退火温度应该在熔点之下,在再结晶温度之上,而其具体参数需要多次试验。

多谢多谢
6楼2013-07-28 10:26:57
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
caowuxing: 金币+2, ★★★很有帮助 2013-07-26 16:07:32
自己摸索一下就知道了啊。选3个温度试一下,看看xrd、SEM就知道了
其实我觉得更重要是退火方式的选择,我建议快速热退火(RTP)
是金子总会发光!!!
2楼2013-07-26 15:45:29
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huaxuejidi

至尊木虫 (正式写手)

科研爱爱爱

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
caowuxing(fbqrdzs代发): 金币+2, 有帮助。 2013-07-28 10:15:53
楼上说的方法没错,不过我不建议快速退火,长时间退火才是热力学的稳定态。有掺杂的薄膜较适合选用快速快速
朝闻道夕死可矣
3楼2013-07-26 21:04:51
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caowuxing

金虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by huaxuejidi at 2013-07-26 21:04:51
楼上说的方法没错,不过我不建议快速退火,长时间退火才是热力学的稳定态。有掺杂的薄膜较适合选用快速快速

退火温度的选择和熔点有什么必然的联系吗
4楼2013-07-27 20:15:11
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