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lymmaotou

金虫 (正式写手)


[交流] TCO衬底上金属氧化物薄膜方阻测试如何避免衬底影响

用RTS-8型四探针仪测试氧化物薄膜方阻,这里面几项要点有:
(1)通常TCO衬底都是简并半导体,所以跟样品薄膜之间应该是ohmic contact,所以不存在成结的条件,需要选用“薄膜方阻”技术;
(2)因为纳米晶膜厚大概也就只有几百nm,当样品尺寸很大时,修正系数基本接近4.5324,无需进行额外的厚度和边缘修正;
然而LZ搞不清楚的是在这些条件下进行测试,电力线会不会穿透样品薄层进入TCO层,这样一来测得的数据就不单单是样品薄膜的方阻了。尽管有两种假设,即选取小电流或者将样品做厚,但似乎也排除不了电流进入TCO层的可能。另外,在“薄膜方阻”技术中有一个“膜厚”选项,给出这个选项的意义到底是什么?难道说测试的时候选取膜厚量级在100nm时,仪器会智能到自动选取一个适当大小的电流并只穿透100nm的有效厚度从而排除导电衬底的影响?盼望大牛解惑!
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dearhanzi

金虫 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我怎么记得是在玻璃上镀膜测得阿, 你的基底一定是绝缘的哦
3楼2013-03-28 14:37:00
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lymmaotou

金虫 (正式写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by dearhanzi at 2013-03-28 14:37:00
我怎么记得是在玻璃上镀膜测得阿, 你的基底一定是绝缘的哦

我的意思是在导电基底上镀膜的前提下如何避免基底的影响。。。
4楼2013-03-28 22:25:10
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wangyong832

银虫 (著名写手)


★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流,回答很详细,非常感谢 2013-03-29 07:56:48
lymmaotou: 金币+1 2013-04-01 13:39:40
我的个人看法:
(1) 用4探针法时,电极是否是欧姆接触对测量结果影响不是很大,而且通常设备上电极都加了一定压力到薄膜上,很容易实现良好接触。
(2)方组是不考虑厚度的;当你想把方阻换算成电阻率时,修正系数4.53是pai/In2,厚度是另外一个参数;至于你想更精确的计算结果,你可以做一些厚度或边缘修正,将厚度和探针间距等因素考虑进去,但结果差别不是很大。
(3)当你薄膜电阻率远远高于你TCO衬底电阻率的时候,你测的结果肯定不是你薄膜的方阻。要小心哦
5楼2013-03-29 05:19:08
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lymmaotou

金虫 (正式写手)


引用回帖:
5楼: Originally posted by wangyong832 at 2013-03-29 05:19:08
我的个人看法:
(1) 用4探针法时,电极是否是欧姆接触对测量结果影响不是很大,而且通常设备上电极都加了一定压力到薄膜上,很容易实现良好接触。
(2)方组是不考虑厚度的;当你想把方阻换算成电阻率时,修正系 ...

对于第三条,如果具体到用RTS-8四探针仪测试的话,“薄膜方阻”技术那个“膜厚”选项到底有什么意义呢?如果我薄膜的衬底换成石英玻璃,是不是可以不管这个膜厚选项了?谢谢!
6楼2013-03-29 10:33:15
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wu1008

金虫 (著名写手)



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4楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-28 22:25:10
我的意思是在导电基底上镀膜的前提下如何避免基底的影响。。。...

基底都已经是导电的,那在上面加TCO有什么意义?
7楼2013-03-29 12:04:26
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lymmaotou

金虫 (正式写手)


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7楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-29 12:04:26
基底都已经是导电的,那在上面加TCO有什么意义?...

你好,我说的基底是TCO,再在上面做氧化物薄膜,测薄膜方阻
8楼2013-03-29 12:53:14
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wu1008

金虫 (著名写手)



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8楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-29 12:53:14
你好,我说的基底是TCO,再在上面做氧化物薄膜,测薄膜方阻...

你是呀知道上面氧化物的方阻,还是两层膜结构的方阻?
9楼2013-03-29 14:20:59
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lymmaotou

金虫 (正式写手)


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9楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-29 14:20:59
你是呀知道上面氧化物的方阻,还是两层膜结构的方阻?...

就想知道氧化物方阻,但觉得测试时候衬底的影响似乎是消除不掉的。后来看到了测试界面上的“膜厚”选项,我做的氧化物膜大概几百纳米,如果我把膜厚设为100nm,仪器是不是就可以排除基底影响了?
10楼2013-03-29 15:57:21
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wu1008

金虫 (著名写手)



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10楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-29 15:57:21
就想知道氧化物方阻,但觉得测试时候衬底的影响似乎是消除不掉的。后来看到了测试界面上的“膜厚”选项,我做的氧化物膜大概几百纳米,如果我把膜厚设为100nm,仪器是不是就可以排除基底影响了?...

那你可以把它长在不导电的基片上

那个厚度只是用来计算电阻率的,
跟测试么有任何关系

另外,为什么要单独知道氧化物的电阻率?
11楼2013-03-29 16:56:09
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lymmaotou

金虫 (正式写手)


引用回帖:
11楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-29 16:56:09
那你可以把它长在不导电的基片上

那个厚度只是用来计算电阻率的,
跟测试么有任何关系

另外,为什么要单独知道氧化物的电阻率?...

似乎不太对吧?这种技术就是测方阻,没有电阻率的读数啊?
12楼2013-03-29 17:26:52
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wu1008

金虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
12楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-29 17:26:52
似乎不太对吧?这种技术就是测方阻,没有电阻率的读数啊?...

你先去了解一下测试的原理吧
13楼2013-03-30 01:23:56
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lymmaotou

金虫 (正式写手)


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13楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-30 01:23:56
你先去了解一下测试的原理吧...

你回答不了也不用这么敷衍吧?
14楼2013-03-30 13:17:50
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wu1008

金虫 (著名写手)


引用回帖:
14楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-30 13:17:50
你回答不了也不用这么敷衍吧?...

hahahaha
15楼2013-03-30 17:34:40
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简单回复
fyz72322楼
2013-03-28 03:50   回复  
zhaohaixing: 禁止纯灌水现象~~ 2013-03-28 08:43:58
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