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TCO衬底上金属氧化物薄膜方阻测试如何避免衬底影响
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用RTS-8型四探针仪测试氧化物薄膜方阻，这里面几项要点有： （1）通常TCO衬底都是简并半导体，所以跟样品薄膜之间应该是ohmic contact，所以不存在成结的条件，需要选用“薄膜方阻”技术； （2）因为纳米晶膜厚大概也就只有几百nm，当样品尺寸很大时，修正系数基本接近4.5324，无需进行额外的厚度和边缘修正； 然而LZ搞不清楚的是在这些条件下进行测试，电力线会不会穿透样品薄层进入TCO层，这样一来测得的数据就不单单是样品薄膜的方阻了。尽管有两种假设，即选取小电流或者将样品做厚，但似乎也排除不了电流进入TCO层的可能。另外，在“薄膜方阻”技术中有一个“膜厚”选项，给出这个选项的意义到底是什么？难道说测试的时候选取膜厚量级在100nm时，仪器会智能到自动选取一个适当大小的电流并只穿透100nm的有效厚度从而排除导电衬底的影响？盼望大牛解惑！ |
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lymmaotou: 金币+1 2013-04-01 13:39:40
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lymmaotou: 金币+1 2013-04-01 13:39:40
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我的个人看法： （1） 用4探针法时，电极是否是欧姆接触对测量结果影响不是很大，而且通常设备上电极都加了一定压力到薄膜上，很容易实现良好接触。 （2）方组是不考虑厚度的；当你想把方阻换算成电阻率时，修正系数4.53是pai/In2，厚度是另外一个参数；至于你想更精确的计算结果，你可以做一些厚度或边缘修正，将厚度和探针间距等因素考虑进去，但结果差别不是很大。 （3）当你薄膜电阻率远远高于你TCO衬底电阻率的时候，你测的结果肯定不是你薄膜的方阻。要小心哦 |
5楼2013-03-29 05:19:08
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