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lymmaotou

金虫 (正式写手)

[交流] TCO衬底上金属氧化物薄膜方阻测试如何避免衬底影响

用RTS-8型四探针仪测试氧化物薄膜方阻，这里面几项要点有：
（1）通常TCO衬底都是简并半导体，所以跟样品薄膜之间应该是ohmic contact，所以不存在成结的条件，需要选用“薄膜方阻”技术；
（2）因为纳米晶膜厚大概也就只有几百nm，当样品尺寸很大时，修正系数基本接近4.5324，无需进行额外的厚度和边缘修正；
然而LZ搞不清楚的是在这些条件下进行测试，电力线会不会穿透样品薄层进入TCO层，这样一来测得的数据就不单单是样品薄膜的方阻了。尽管有两种假设，即选取小电流或者将样品做厚，但似乎也排除不了电流进入TCO层的可能。另外，在“薄膜方阻”技术中有一个“膜厚”选项，给出这个选项的意义到底是什么？难道说测试的时候选取膜厚量级在100nm时，仪器会智能到自动选取一个适当大小的电流并只穿透100nm的有效厚度从而排除导电衬底的影响？盼望大牛解惑！
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1楼 2013-03-27 14:11:27
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dearhanzi

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我怎么记得是在玻璃上镀膜测得阿， 你的基底一定是绝缘的哦
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3楼2013-03-28 14:37:00
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lymmaotou

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by dearhanzi at 2013-03-28 14:37:00
我怎么记得是在玻璃上镀膜测得阿， 你的基底一定是绝缘的哦

我的意思是在导电基底上镀膜的前提下如何避免基底的影响。。。
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4楼2013-03-28 22:25:10
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wangyong832

银虫 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流，回答很详细，非常感谢 2013-03-29 07:56:48
lymmaotou: 金币+1 2013-04-01 13:39:40
我的个人看法：
（1） 用4探针法时，电极是否是欧姆接触对测量结果影响不是很大，而且通常设备上电极都加了一定压力到薄膜上，很容易实现良好接触。
（2）方组是不考虑厚度的；当你想把方阻换算成电阻率时，修正系数4.53是pai/In2，厚度是另外一个参数；至于你想更精确的计算结果，你可以做一些厚度或边缘修正，将厚度和探针间距等因素考虑进去，但结果差别不是很大。
（3）当你薄膜电阻率远远高于你TCO衬底电阻率的时候，你测的结果肯定不是你薄膜的方阻。要小心哦
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5楼2013-03-29 05:19:08
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lymmaotou

金虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by wangyong832 at 2013-03-29 05:19:08
我的个人看法：
（1） 用4探针法时，电极是否是欧姆接触对测量结果影响不是很大，而且通常设备上电极都加了一定压力到薄膜上，很容易实现良好接触。
（2）方组是不考虑厚度的；当你想把方阻换算成电阻率时，修正系 ...

对于第三条，如果具体到用RTS-8四探针仪测试的话，“薄膜方阻”技术那个“膜厚”选项到底有什么意义呢？如果我薄膜的衬底换成石英玻璃，是不是可以不管这个膜厚选项了？谢谢！
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6楼2013-03-29 10:33:15
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wu1008

金虫 (著名写手)
★
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4楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-28 22:25:10
我的意思是在导电基底上镀膜的前提下如何避免基底的影响。。。...

基底都已经是导电的，那在上面加TCO有什么意义？
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7楼2013-03-29 12:04:26
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lymmaotou

金虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-29 12:04:26
基底都已经是导电的，那在上面加TCO有什么意义？...

你好，我说的基底是TCO，再在上面做氧化物薄膜，测薄膜方阻
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8楼2013-03-29 12:53:14
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wu1008

金虫 (著名写手)
★
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8楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-29 12:53:14
你好，我说的基底是TCO，再在上面做氧化物薄膜，测薄膜方阻...

你是呀知道上面氧化物的方阻，还是两层膜结构的方阻？
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9楼2013-03-29 14:20:59
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lymmaotou

金虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-29 14:20:59
你是呀知道上面氧化物的方阻，还是两层膜结构的方阻？...

就想知道氧化物方阻，但觉得测试时候衬底的影响似乎是消除不掉的。后来看到了测试界面上的“膜厚”选项，我做的氧化物膜大概几百纳米，如果我把膜厚设为100nm，仪器是不是就可以排除基底影响了？
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10楼2013-03-29 15:57:21
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wu1008

金虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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10楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-29 15:57:21
就想知道氧化物方阻，但觉得测试时候衬底的影响似乎是消除不掉的。后来看到了测试界面上的“膜厚”选项，我做的氧化物膜大概几百纳米，如果我把膜厚设为100nm，仪器是不是就可以排除基底影响了？...

那你可以把它长在不导电的基片上

那个厚度只是用来计算电阻率的，
跟测试么有任何关系

另外，为什么要单独知道氧化物的电阻率？
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11楼2013-03-29 16:56:09
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lymmaotou

金虫 (正式写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-29 16:56:09
那你可以把它长在不导电的基片上

那个厚度只是用来计算电阻率的，
跟测试么有任何关系

另外，为什么要单独知道氧化物的电阻率？...

似乎不太对吧？这种技术就是测方阻，没有电阻率的读数啊？
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12楼2013-03-29 17:26:52
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wu1008

金虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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12楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-29 17:26:52
似乎不太对吧？这种技术就是测方阻，没有电阻率的读数啊？...

你先去了解一下测试的原理吧
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13楼2013-03-30 01:23:56
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lymmaotou

金虫 (正式写手)
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13楼: Originally posted by wu1008 at 2013-03-30 01:23:56
你先去了解一下测试的原理吧...

你回答不了也不用这么敷衍吧？
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14楼2013-03-30 13:17:50
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wu1008

金虫 (著名写手)
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14楼: Originally posted by lymmaotou at 2013-03-30 13:17:50
你回答不了也不用这么敷衍吧？...

hahahaha
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15楼2013-03-30 17:34:40
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fyz72322楼
2013-03-28 03:50   回复  
zhaohaixing: 禁止纯灌水现象~~ 2013-03-28 08:43:58
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