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lymmaotou

金虫 (正式写手)

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[交流] TCO衬底上金属氧化物薄膜方阻测试如何避免衬底影响

用RTS-8型四探针仪测试氧化物薄膜方阻，这里面几项要点有：
（1）通常TCO衬底都是简并半导体，所以跟样品薄膜之间应该是ohmic contact，所以不存在成结的条件，需要选用“薄膜方阻”技术；
（2）因为纳米晶膜厚大概也就只有几百nm，当样品尺寸很大时，修正系数基本接近4.5324，无需进行额外的厚度和边缘修正；
然而LZ搞不清楚的是在这些条件下进行测试，电力线会不会穿透样品薄层进入TCO层，这样一来测得的数据就不单单是样品薄膜的方阻了。尽管有两种假设，即选取小电流或者将样品做厚，但似乎也排除不了电流进入TCO层的可能。另外，在“薄膜方阻”技术中有一个“膜厚”选项，给出这个选项的意义到底是什么？难道说测试的时候选取膜厚量级在100nm时，仪器会智能到自动选取一个适当大小的电流并只穿透100nm的有效厚度从而排除导电衬底的影响？盼望大牛解惑！

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