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huibenben

金虫 (小有名气)

[求助] 正面长有氮化硅(Si3N4)的硅片怎样去除硅片背面的薄淡化硅层(~几nm)

我想用长有氮化硅的硅片作OTFT衬底,怎样去除硅片背面的薄氮化硅(约几nm)层,以露出硅用作OTFT的栅电极(实验室用)。各位帅锅,美女,求助!有知道的回个帖,谢谢!

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khome1987
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huibenben

金虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by dizzy1011 at 2012-06-13 14:50:19
为什么要用氮化硅呢?
直接用硅片不就可以了么

硅片的衬底是可以直接做栅极的

是用硅片作栅,用氮化硅作绝缘层
khome1987
6楼2012-06-14 08:47:57
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liu2004m

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【答案】应助回帖

★ ★
huibenben: 金币+2, 博学EPI+1, ★★★很有帮助 2012-05-16 21:20:48
用氢氟酸腐蚀去掉就行了
不过注意安全
2楼2012-05-16 13:15:37
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huibenben

金虫 (小有名气)

huibenben: 回帖置顶 2012-05-16 21:25:06
引用回帖:
2楼: Originally posted by liu2004m at 2012-05-16 13:15:37:
用氢氟酸腐蚀去掉就行了
不过注意安全

用氢氟酸腐蚀背面的时候,正面用什么掩盖?
khome1987
3楼2012-05-16 21:20:32
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huibenben

金虫 (小有名气)

huibenben: 回帖置顶 2012-05-16 21:25:04
引用回帖:
2楼: Originally posted by liu2004m at 2012-05-16 13:15:37:
用氢氟酸腐蚀去掉就行了
不过注意安全

如果用光刻胶掩盖正面,光刻胶怎么去除干净?
另外,能不能用透明胶把正面封上,只在背面中间留一小块用氢氟酸腐蚀?你在实验中怎么处理这个问题?
khome1987
4楼2012-05-16 21:24:12
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