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huibenben

金虫 (小有名气)

[求助] 正面长有氮化硅（Si3N4）的硅片怎样去除硅片背面的薄淡化硅层（~几nm）

我想用长有氮化硅的硅片作OTFT衬底，怎样去除硅片背面的薄氮化硅（约几nm）层，以露出硅用作OTFT的栅电极（实验室用）。各位帅锅，美女，求助！有知道的回个帖，谢谢！
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khome1987
1楼 2012-05-16 09:54:40
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huibenben

金虫 (小有名气)
huibenben: 回帖置顶 2012-05-16 21:25:06
引用回帖:
2楼: Originally posted by liu2004m at 2012-05-16 13:15:37:
用氢氟酸腐蚀去掉就行了
不过注意安全

用氢氟酸腐蚀背面的时候，正面用什么掩盖？
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khome1987
3楼2012-05-16 21:20:32
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liu2004m

荣誉版主 (文坛精英)

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【答案】应助回帖

★ ★
huibenben: 金币+2, 博学EPI+1, ★★★很有帮助 2012-05-16 21:20:48
用氢氟酸腐蚀去掉就行了
不过注意安全
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2楼2012-05-16 13:15:37
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huibenben

金虫 (小有名气)
huibenben: 回帖置顶 2012-05-16 21:25:04
引用回帖:
2楼: Originally posted by liu2004m at 2012-05-16 13:15:37:
用氢氟酸腐蚀去掉就行了
不过注意安全

如果用光刻胶掩盖正面，光刻胶怎么去除干净？
另外，能不能用透明胶把正面封上，只在背面中间留一小块用氢氟酸腐蚀？你在实验中怎么处理这个问题？
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khome1987
4楼2012-05-16 21:24:12
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dizzy1011

新虫 (初入文坛)
为什么要用氮化硅呢？
直接用硅片不就可以了么

硅片的衬底是可以直接做栅极的
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5楼2012-06-13 14:50:19
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