|
|
[求助]
磁控溅射氮化硅中氧杂质的问题
求助了求助了 ，本人用中频磁控溅射制备SiNx，折射率只有1.7，和SiON的差不多，后来去打了XPS（为了排除表面吸附氧，表面刻蚀了10nm），发现里面有40%的氧。目前已排除真空室漏气，气体都是99.99%的，沉积温度从100-300摄氏度都试过，本底10-4Pa，工作气压0.6-1.2Pa，Ar：N2也调了很大范围，结果对折射率影响很小。
目前认为，由于设备不达标，溅射功率太低，只有2-3W/cm3，和其它文献报道的6W/cm3差太多。
不知道其他虫虫有无相关经验，帮小弟分析分析 |
» 猜你喜欢
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有6人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有10人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有7人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有12人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有8人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有7人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有8人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有16人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有14人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有12人回复
|
回复此楼
点击这里搜索更多相关资源