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磁控溅射氮化硅中氧杂质的问题
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求助了求助了 ，本人用中频磁控溅射制备SiNx，折射率只有1.7，和SiON的差不多，后来去打了XPS（为了排除表面吸附氧，表面刻蚀了10nm），发现里面有40%的氧。目前已排除真空室漏气，气体都是99.99%的，沉积温度从100-300摄氏度都试过，本底10-4Pa，工作气压0.6-1.2Pa，Ar：N2也调了很大范围，结果对折射率影响很小。目前认为，由于设备不达标，溅射功率太低，只有2-3W/cm3，和其它文献报道的6W/cm3差太多。 不知道其他虫虫有无相关经验，帮小弟分析分析 |
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