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金虫 (小有名气)

[求助] 磁控溅射氮化硅中氧杂质的问题

求助了求助了,本人用中频磁控溅射制备SiNx,折射率只有1.7,和SiON的差不多,后来去打了XPS(为了排除表面吸附氧,表面刻蚀了10nm),发现里面有40%的氧。目前已排除真空室漏气,气体都是99.99%的,沉积温度从100-300摄氏度都试过,本底10-4Pa,工作气压0.6-1.2Pa,Ar:N2也调了很大范围,结果对折射率影响很小。
    目前认为,由于设备不达标,溅射功率太低,只有2-3W/cm3,和其它文献报道的6W/cm3差太多。
    不知道其他虫虫有无相关经验,帮小弟分析分析
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