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LiuJia0912

金虫 (小有名气)

[求助] 阻抗谱分析,高手进来帮帮忙吧!!!万分感激!!!

最近合成了(Al0.2Zr0.8)20/19Nb(PO4)3固体电解质,对其进行不同比例烧结助剂的添加,烧结助剂是ZnO,加入比例为0%、1%、2%、5%、8%,通过测定固体电解质的交流阻抗来计算其电导率,但是问题出现了,0%比例的阻抗谱图形半圆比较明显,其电阻值很容易读出,但是其他比例的阻抗谱图形不好分析,半圆的拐点不好判断,通过拟合软件进行拟合,得到不同比例的阿伦尼乌斯曲线关系,发现规律不太对,应该是不加烧结助剂的电导率最低,随着烧结助剂含量的增大,电导率呈现先增后减的趋势,有一个最大值,但是现在好像不是这种变化趋势,不加烧结助剂时,在低温时电导率最高,高温时反而最低,请大家帮忙给分析分析,不同比例的阻抗谱的电阻值怎么取?阻抗谱文档我已上传了,希望高手给分析一下,万分感激!!!
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  • 附件 1 : 不同比例电导率图.doc
  • 2012-03-23 10:31:46, 1.59 M

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相信自己坚持不放弃!!!
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yandt

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
首先,采用交流阻抗谱测固体电解质的离子电导率时,采用Pt电极,在交流阻抗谱上会从高频到低频依次出现三段弧(不一定是半圆,半圆只是理想的情况),分别对应Bulk过程、Grain Boundary过程和电极过程,如果你的测试设备高频不够,可能看不到第一段弧(国产的上海华晨的高频就不够0.1MHz,肯定看不到第一段弧。英国SolartonSI-1260高频能够到1MHz,有时候能看到第一段弧,取决于测试测试过程和样品电导率的高低);如果你的测试设备低频不够,可能看不到地三段弧(美国Agilent的高频很好,能够到5MHz,但低频不够,电极部分就看不出来,当然,只研究电解质是没有问题的)。哪段弧是哪个过程不是简单数1、2、3的,要按每段的特征电容来看的。
其次,若采用Zview拟合软件,可以有三种方法拟合,最简单和粗糙的方法是fit circle,较好的是instant fit,最好的是自己根据自己的数据范围(含上述三个过程的哪几个)建立等效电路拟合。得到的数据应该分别是Bulk、GB和El对应的电阻,分别做Arrhenius曲线。
另外,你所说的电导率的预期趋势是不明确的,ZnO若进入了Bulk,可能改变的是Bulk的传导能力;若处于晶界,则只能改变GB的传导能力。直接对总电导率进行分析是没有意义的,能够区分出是哪部分的电导率发生了变化是交流阻抗谱的优点,要算总电导率就太大材小用了,Van der Pauw四电极法就可以测总电导率了。
最后,“低温高、高温低”是很正常的现象,因为导电活化能发生了变化。要都是“平行”的就太“理想”了。
做过几年的固体电解质,说的不恰当的地方请“高手”补充。
力争成为一个优秀的虫子
10楼2012-03-25 09:31:50
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yandt

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

其实助烧结剂的添加主要是改变晶界的性质的,比如改变了晶界的Si等杂质的分布、通过改变晶粒尺寸大小改变杂质的晶界阻塞效应的大小和晶界数目的多少、改变晶界空间电荷势的可能不是太大。
力争成为一个优秀的虫子
12楼2012-03-25 09:50:04
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yandt

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
11楼: Originally posted by LiuJia0912 at 2012-03-25 09:49:18:
首先非常感谢你,解释的很详尽,我们用的是德国产的电化学工作站,频率范围是1MHZ-100MHZ,频率应该可以满足。虽然出现不了理想的半圆,通常只是出现一部分圆弧,但是有的比例圆弧出现的比较明显,通过拐点值可以 ...

以前在文献里见过那个设备,型号记不住了,我只用过我上面说过的那几种设备。低频1M可能看不到或者看不好GB的,可以拟合一下第一段弧,看看电容的大小,看特征电容是不是GB的。出现圆弧而不出现半圆是由于存在Q,拟合时应该用CPE而不应该用C。
电阻不能通过简单通过“拐点值”得出,要拟合才能得到。
“只是出现一部分圆弧,但是有的比例圆弧出现的比较明显”就是样品晶界电阻不同,使得某些样品的晶界电容在设备范围内,某些不在设备范围内。
“有的比例整体看只是一条射线,放大高频区可以看到一个小的拐点”是由于射线是电极的Warburg极化过程的,正好说明了此时样品的GB过程不在设备的低频范围内了。
力争成为一个优秀的虫子
13楼2012-03-25 10:04:26
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