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zhao9277

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】请问一下光刻胶是什么东西？成分是什么？

那位大牛知道是什么东西？
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1楼 2011-03-11 10:28:58
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angeljiayou

新虫 (初入文坛)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
mems工艺中经常用到的，就是一种感光材料
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6楼2012-01-09 19:03:26
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yhbchem

新虫 (初入文坛)
★ ★
yusen_1982(金币+1): 欢迎交流！ 2011-03-12 00:46:31
lixiangde(金币+1): 感谢回帖交流 2011-03-28 16:57:07
又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体
百度上有点资料锕
赞一下(2人) 回复此楼
2楼2011-03-11 13:13:44
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bluern

木虫 (著名写手)
★ ★
yusen_1982(金币+1): 欢迎交流！ 2011-03-12 00:46:39
lixiangde(金币+1): 感谢回帖交流 2011-03-28 16:57:36
光刻技术。最早是用来做微电子元件的。
赞一下(2人) 回复此楼
3楼2011-03-11 19:03:00
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林夕9808

新虫 (初入文坛)

集成电路制作中光刻工艺的必需品

★
lixiangde(金币+1): 感谢回帖交流 2011-03-28 16:57:29
zhao9277(金币+1): 2011-03-29 15:52:44
zhao9277(金币+1): 2011-03-31 16:10:46
光刻工艺的进行必须借助光刻胶将印在掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物，用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系，主要包括感光物质（PAC）、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。
    通常我们把常用的光刻胶可分为正光刻胶和负光刻胶两种。①正光刻胶：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。②负光刻胶：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。正光刻胶具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、针孔密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。负光刻胶的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。 在半导体产业中，正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍，这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率，可以用于微小精细的电路，同时，正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。
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4楼2011-03-28 15:28:52
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