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ustbwgs

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】虫友们对ISIF取值有什么高见呢

虫友们对ISIF取值有什么高见呢，官方说明上说，ISIF大于4时，离子不持豫，我一直认为优化就是改变离子的位置，使我们的结构更好，离子都保持不动了，还优化什么啊，而且这些值一般怎么取呢
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1楼 2010-12-07 09:20:57
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ustbwgs

木虫 (正式写手)
★
youzhizhe(金币+1):鼓励交流。 2010-12-07 15:18:59
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2010-12-07 15:05:18:

你没有明白原子固定的意思。离子不弛豫，只是说他的direct坐标不改变，也就是相对于基矢的坐标不发生变化。而如果基矢改变了，也就是坐标系都发生变化了，那么离子的位置就改变了。

非常感谢您的解释，对于下面的情况是你说的这样吗？？？
我们知道在构造POSCAR时，可以用实际坐标或分数坐标两种方式，
由于我计算的体系比较大，300个原子左右，所以我的坐标是实际坐标。那这儿没有D坐标，怎么优化呢？不过我发现每次优化完之后出来的CONTCAR都是分数坐标，是不是运行开始之后，VASP先把我的实坐标转化成分数坐标，然后再按你说的那种方式优化呢？？
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9楼2010-12-07 15:16:46
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first_yg

银虫 (小有名气)
★ ★
ellsaking(金币+2):谢谢详细说明，欢迎常来~ 2010-12-07 10:05:28
看来新手的问题都差不多呵，这几天看了你的几个帖子，都是我也曾经或正在疑惑的问题。
不过我的ISIF最终只能用2了，因为我算的石墨烯表面，看过以前侯博士一个回帖，像这样的低维表面不适合将Z方向体积也优化，会导致真空层减少很多。我试了一下3，确实如此。
但是文献中提到当分子原子吸附于石墨烯表面，浓度很大时，石墨烯晶格会有很大变化。我一度很困惑，那么到底我该怎么办。
最近看了几篇文章，发现是将整个吸附体系作为晶格常数优化的对象，而不是单纯依靠ISIF来计算。觉得这样的方法也不错，就是有些耗时。
啰嗦了这么多，是把最近的心得说出来，不知道对你有没有用。呵呵。
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3楼2010-12-07 09:58:08
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gavinliu7390

木虫 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
ellsaking(金币+2):谢谢指点~ 2010-12-07 10:54:44
优化分两种， 一种是优化离子位置，以保证每个离子的受力趋于0. 二是优化晶格基矢，以使得三个主轴的stress相等， 趋于一个值，而非对角元的stress趋于0，没有剪切力。
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4楼2010-12-07 10:45:17
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ustbwgs

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by gavinliu7390 at 2010-12-07 10:45:17:
优化分两种， 一种是优化离子位置，以保证每个离子的受力趋于0. 二是优化晶格基矢，以使得三个主轴的stress相等， 趋于一个值，而非对角元的stress趋于0，没有剪切力。

ISIF大于4时，说明上说得是离子不持豫，
如果改变基矢或者优化离子位置都会改变你原胞中原子的位置啊，
我一直认为：：：如果原胞中所有的原子的位置确定的话，元胞就应该固定下来了吧。还优化什么啊。

优化基矢是什么意思，改变夹角吗？？？那样的话也可以通过改变原子位置达到同样的效果啊。

而且你说的这两种应该是优化时同时用到了吧，不可能是只在一个优化过程中只用一种方法吧，因为我们的结构有可能基矢有一点问题，而离子位置的话应该都有问题。
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5楼2010-12-07 14:01:27
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