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ustbwgs

木虫 (正式写手)


[交流] 【求助】虫友们对ISIF取值有什么高见呢

虫友们对ISIF取值有什么高见呢,官方说明上说,ISIF大于4时,离子不持豫,我一直认为优化就是改变离子的位置,使我们的结构更好,离子都保持不动了,还优化什么啊,而且这些值一般怎么取呢
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ustbwgs

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by gavinliu7390 at 2010-12-07 10:45:17:
优化分两种, 一种是优化离子位置,以保证每个离子的受力趋于0. 二是优化晶格基矢,以使得三个主轴的stress相等, 趋于一个值,而非对角元的stress趋于0,没有剪切力。

ISIF大于4时,说明上说得是离子不持豫,
如果改变基矢或者优化离子位置都会改变你原胞中原子的位置啊,
我一直认为:::如果原胞中所有的原子的位置确定的话,元胞就应该固定下来了吧。还优化什么啊。

优化基矢是什么意思,改变夹角吗???那样的话也可以通过改变原子位置达到同样的效果啊。

而且你说的这两种应该是优化时同时用到了吧,不可能是只在一个优化过程中只用一种方法吧,因为我们的结构有可能基矢有一点问题,而离子位置的话应该都有问题。
5楼2010-12-07 14:01:27
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first_yg

银虫 (小有名气)


★ ★
ellsaking(金币+2):谢谢详细说明,欢迎常来~ 2010-12-07 10:05:28
看来新手的问题都差不多呵,这几天看了你的几个帖子,都是我也曾经或正在疑惑的问题。
不过我的ISIF最终只能用2了,因为我算的石墨烯表面,看过以前侯博士一个回帖,像这样的低维表面不适合将Z方向体积也优化,会导致真空层减少很多。我试了一下3,确实如此。
但是文献中提到当分子原子吸附于石墨烯表面,浓度很大时,石墨烯晶格会有很大变化。我一度很困惑,那么到底我该怎么办。
最近看了几篇文章,发现是将整个吸附体系作为晶格常数优化的对象,而不是单纯依靠ISIF来计算。觉得这样的方法也不错,就是有些耗时。
啰嗦了这么多,是把最近的心得说出来,不知道对你有没有用。呵呵。
3楼2010-12-07 09:58:08
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★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
ellsaking(金币+2):谢谢指点~ 2010-12-07 10:54:44
优化分两种, 一种是优化离子位置,以保证每个离子的受力趋于0. 二是优化晶格基矢,以使得三个主轴的stress相等, 趋于一个值,而非对角元的stress趋于0,没有剪切力。
4楼2010-12-07 10:45:17
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ustbwgs

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by first_yg at 2010-12-07 09:58:08:
看来新手的问题都差不多呵,这几天看了你的几个帖子,都是我也曾经或正在疑惑的问题。
不过我的ISIF最终只能用2了,因为我算的石墨烯表面,看过以前侯博士一个回帖,像这样的低维表面不适合将Z方向体积也优化,会 ...

你说得这句话是什么意思呢???
”发现是将整个吸附体系作为晶格常数优化的对象,而不是单纯依靠ISIF来计算。觉得这样的方法也不错,就是有些耗时。“

是不是把体系选得大一点,然后还是用ISIF=2呢????
6楼2010-12-07 14:06:52
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