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【求助】禁带宽度
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相对于本征ZnO,AI掺杂的n一ZnO禁带宽度会增加,这是由于Burstein一Moss 移动而引起的:而受主掺杂的p型zno,包括p一ZnO:N和p一ZnO N,Al),其禁带宽度通常会降低,这可能是由于受主能带与价带的简并而引起的。 我的疑问是:n型和p型的禁带宽度分别指哪部分之间的距离,如果是导带底到价带顶,应该两个都是禁带宽度降低啊,这里的禁带宽度是光学禁带宽度吧?是不是n型的光学禁带宽度是价带顶到费米能级(进入导带)的距离,p型的光学禁带宽度是费米能级(进入价带)到导带底的距离,但这样的话,两个禁带宽度又都增加了,请高手指正我的错误,哪里错了呢?谢谢 |
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21楼2010-11-30 16:24:55
2楼2010-11-29 11:12:30
3楼2010-11-29 12:32:10
4楼2010-11-29 12:35:42










N,Al),其禁带
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