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suosuosky

铁杆木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】好迷惑啊！！！有关S0、S1的TDDFT和CIS计算

好迷惑啊！！！

我想问一下：

我想求垂直激发能和垂直发射能，我在论坛上看到有人这样说的

1。用优化好的S0做CIS或TDDFT的单点能计算，就是垂直激发能，即对应吸收光谱；

2。用优化好的S1（如CIS）做CIS或TDDFT的单点能计算，就是垂直发射能，即对应荧光光谱；

这样做对吗？
软件怎么知道你输进去的是S0还是S1？（2。）中的输入文件软件怎么就知道是S1态？这样算出来的是不是应该是S1到S2的垂直激发能？
很迷惑啊，谁能帮忙解释一下？谢谢，非常感激啊~~~



3。还有一个问题，到底怎样求绝热激发能，使用激发态的ZPL校正过的能量，减去基态ZPL校正过的能量吗？但是基态用的是RHF，激发态用的是CIS，这样减可以吗？会不会误差很大？

谢谢各位~~~

[ Last edited by suosuosky on 2010-11-25 at 19:01 ]
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1楼 2010-11-25 18:55:11
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gmy1990

荣誉版主 (著名写手)
★
zhou2009(金币+1): 2010-11-29 10:29:35
做垂直激发时就用基态S0的坐标，做发射用的自然是激发态的
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2楼2010-11-28 11:19:28
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zhminyi

银虫 (初入文坛)
★ ★
zhou2009(金币+2): 2010-11-29 10:29:22
suosuosky(金币+5): 2010-12-01 15:44:05
你可以这样认为
1. S0计算垂直跃迁后的S1结构与S0相同  
2. 优化S1结构认为是驰域 结构变化  计算S1 TD后得到的是垂直发射 S1结构与此时S1对应的S0结构相同 你可以认为这是计算TD是对S0进行的 发射和吸收其实只是方向相反
注意1和2中的S0结构不同了 呵呵 希望对你的理解多少有些帮助
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3楼2010-11-29 10:26:02
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zhminyi

银虫 (初入文坛)
★
zhou2009(金币+1): 2010-11-29 10:47:03
对于你下个问题 其实cis与HF是一个水平 如果你不放心 基态你也用cis好了 root=0就好了
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4楼2010-11-29 10:28:28
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139564@chen

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
1. 垂直激发（vertical transition）是指电子跃迁的前后，分子的构型不发生变化。在具体的求算过程中，先优化基态的构型，然后取出优化后的构型，并在执行区域加上 TD 关键词就可以了。读高斯的输出文件，有对应的Excited State 1 的激发能。
2. 垂直发射(vertical emission) 同样的道理，先优化第一激发态的构型，这时在执行区域加关键词 TD OPT 就可以了，取出优化后的分子构型。再做垂直激发，即在执行区域加关键词 TD 就可以了，读出输出文件的第一激发能，此时就是垂直发射能。
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5楼2012-07-30 09:56:20
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abing_1981

至尊木虫 (著名写手)
FC原理。
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6楼2012-07-31 09:08:06
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匿名

用户注销 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
本帖仅楼主可见
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7楼2013-12-13 20:27:20
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