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【求助】好迷惑啊!!!有关S0、S1的TDDFT和CIS计算
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好迷惑啊!!! 我想问一下: 我想求垂直激发能和垂直发射能,我在论坛上看到有人这样说的 1。用优化好的S0做CIS或TDDFT的单点能计算,就是垂直激发能,即对应吸收光谱; 2。用优化好的S1(如CIS)做CIS或TDDFT的单点能计算,就是垂直发射能,即对应荧光光谱; 这样做对吗? 软件怎么知道你输进去的是S0还是S1?(2。)中的输入文件软件怎么就知道是S1态?这样算出来的是不是应该是S1到S2的垂直激发能? 很迷惑啊,谁能帮忙解释一下?谢谢,非常感激啊~~~ 3。还有一个问题,到底怎样求绝热激发能,使用激发态的ZPL校正过的能量,减去基态ZPL校正过的能量吗?但是基态用的是RHF,激发态用的是CIS,这样减可以吗?会不会误差很大? 谢谢各位~~~ [ Last edited by suosuosky on 2010-11-25 at 19:01 ] |
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1. 垂直激发(vertical transition)是指电子跃迁的前后,分子的构型不发生变化。在具体的求算过程中,先优化基态的构型,然后取出优化后的构型,并在执行区域加上 TD 关键词就可以了。读高斯的输出文件,有对应的Excited State 1 的激发能。 2. 垂直发射(vertical emission) 同样的道理,先优化第一激发态的构型,这时在执行区域加关键词 TD OPT 就可以了,取出优化后的分子构型。再做垂直激发,即在执行区域加关键词 TD 就可以了,读出输出文件的第一激发能,此时就是垂直发射能。 |
5楼2012-07-30 09:56:20
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7楼2013-12-13 20:27:20







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