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【求助】好迷惑啊!!!有关S0、S1的TDDFT和CIS计算
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suosuosky
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虫号: 962135
[交流]
【求助】好迷惑啊!!!有关S0、S1的TDDFT和CIS计算
好迷惑啊!!!
我想问一下:
我想求垂直激发能和垂直发射能,我在论坛上看到有人这样说的
1。用优化好的S0做CIS或TDDFT的单点能计算,就是垂直激发能,即对应吸收光谱;
2。用优化好的S1(如CIS)做CIS或TDDFT的单点能计算,就是垂直发射能,即对应荧光光谱;
这样做对吗?
软件怎么知道你输进去的是S0还是S1?(2。)中的输入文件软件怎么就知道是S1态?这样算出来的是不是应该是S1到S2的垂直激发能?
很迷惑啊,谁能帮忙解释一下?谢谢,非常感激啊~~~
3。还有一个问题,到底怎样求绝热激发能,使用激发态的ZPL校正过的能量,减去基态ZPL校正过的能量吗?但是基态用的是RHF,激发态用的是CIS,这样减可以吗?会不会误差很大?
谢谢各位~~~
[
Last edited by suosuosky on 2010-11-25 at 19:01
]
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2010-11-25 18:55:11
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zhminyi
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zhou2009(金币+1): 2010-11-29 10:47:03
对于你下个问题 其实cis与HF是一个水平 如果你不放心 基态你也用cis好了 root=0就好了
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2010-11-29 10:28:28
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gmy1990
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zhou2009(金币+1): 2010-11-29 10:29:35
做垂直激发时就用基态S0的坐标,做发射用的自然是激发态的
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2010-11-28 11:19:28
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zhminyi
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zhou2009(金币+2): 2010-11-29 10:29:22
suosuosky(金币+5): 2010-12-01 15:44:05
你可以这样认为
1. S0计算垂直跃迁后的S1结构与S0相同
2. 优化S1结构认为是驰域 结构变化 计算S1 TD后得到的是垂直发射 S1结构与此时S1对应的S0结构相同 你可以认为这是计算TD是对S0进行的 发射和吸收其实只是方向相反
注意1和2中的S0结构不同了 呵呵 希望对你的理解多少有些帮助
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2010-11-29 10:26:02
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
1. 垂直激发(vertical transition)是指电子跃迁的前后,分子的构型不发生变化。在具体的求算过程中,先优化基态的构型,然后取出优化后的构型,并在执行区域加上 TD 关键词就可以了。读高斯的输出文件,有对应的Excited State 1 的激发能。
2. 垂直发射(vertical emission) 同样的道理,先优化第一激发态的构型,这时在执行区域加关键词 TD OPT 就可以了,取出优化后的分子构型。再做垂直激发,即在执行区域加关键词 TD 就可以了,读出输出文件的第一激发能,此时就是垂直发射能。
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5楼
2012-07-30 09:56:20
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