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[交流]
【求助】好迷惑啊！！！有关S0、S1的TDDFT和CIS计算
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好迷惑啊！！！ 我想问一下： 我想求垂直激发能和垂直发射能，我在论坛上看到有人这样说的 1。用优化好的S0做CIS或TDDFT的单点能计算，就是垂直激发能，即对应吸收光谱； 2。用优化好的S1（如CIS）做CIS或TDDFT的单点能计算，就是垂直发射能，即对应荧光光谱； 这样做对吗？ 软件怎么知道你输进去的是S0还是S1？（2。）中的输入文件软件怎么就知道是S1态？这样算出来的是不是应该是S1到S2的垂直激发能？ 很迷惑啊，谁能帮忙解释一下？谢谢，非常感激啊~~~ 3。还有一个问题，到底怎样求绝热激发能，使用激发态的ZPL校正过的能量，减去基态ZPL校正过的能量吗？但是基态用的是RHF，激发态用的是CIS，这样减可以吗？会不会误差很大？ 谢谢各位~~~ [ Last edited by suosuosky on 2010-11-25 at 19:01 ] |
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 高斯计算总结 |
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1. 垂直激发（vertical transition）是指电子跃迁的前后，分子的构型不发生变化。在具体的求算过程中，先优化基态的构型，然后取出优化后的构型，并在执行区域加上 TD 关键词就可以了。读高斯的输出文件，有对应的Excited State 1 的激发能。 2. 垂直发射(vertical emission) 同样的道理，先优化第一激发态的构型，这时在执行区域加关键词 TD OPT 就可以了，取出优化后的分子构型。再做垂直激发，即在执行区域加关键词 TD 就可以了，读出输出文件的第一激发能，此时就是垂直发射能。  |
5楼2012-07-30 09:56:20
2楼2010-11-28 11:19:28
3楼2010-11-29 10:26:02
4楼2010-11-29 10:28:28
