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suosuosky

铁杆木虫 (著名写手)

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[交流] 【求助】好迷惑啊！！！有关S0、S1的TDDFT和CIS计算

好迷惑啊！！！

我想问一下：

我想求垂直激发能和垂直发射能，我在论坛上看到有人这样说的

1。用优化好的S0做CIS或TDDFT的单点能计算，就是垂直激发能，即对应吸收光谱；

2。用优化好的S1（如CIS）做CIS或TDDFT的单点能计算，就是垂直发射能，即对应荧光光谱；

这样做对吗？
软件怎么知道你输进去的是S0还是S1？（2。）中的输入文件软件怎么就知道是S1态？这样算出来的是不是应该是S1到S2的垂直激发能？
很迷惑啊，谁能帮忙解释一下？谢谢，非常感激啊~~~

3。还有一个问题，到底怎样求绝热激发能，使用激发态的ZPL校正过的能量，减去基态ZPL校正过的能量吗？但是基态用的是RHF，激发态用的是CIS，这样减可以吗？会不会误差很大？

谢谢各位~~~

[ Last edited by suosuosky on 2010-11-25 at 19:01 ]

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1楼2010-11-25 18:55:11

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gmy1990

荣誉版主 (著名写手)

★
zhou2009(金币+1): 2010-11-29 10:29:35

做垂直激发时就用基态S0的坐标，做发射用的自然是激发态的

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2楼2010-11-28 11:19:28

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zhminyi

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★ ★
zhou2009(金币+2): 2010-11-29 10:29:22
suosuosky(金币+5): 2010-12-01 15:44:05

你可以这样认为
1. S0计算垂直跃迁后的S1结构与S0相同
2. 优化S1结构认为是驰域结构变化计算S1 TD后得到的是垂直发射 S1结构与此时S1对应的S0结构相同你可以认为这是计算TD是对S0进行的发射和吸收其实只是方向相反
注意1和2中的S0结构不同了呵呵希望对你的理解多少有些帮助

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3楼2010-11-29 10:26:02

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zhminyi

银虫 (初入文坛)

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★
zhou2009(金币+1): 2010-11-29 10:47:03

对于你下个问题其实cis与HF是一个水平如果你不放心基态你也用cis好了 root=0就好了

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4楼2010-11-29 10:28:28

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139564@chen

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1. 垂直激发（vertical transition）是指电子跃迁的前后，分子的构型不发生变化。在具体的求算过程中，先优化基态的构型，然后取出优化后的构型，并在执行区域加上 TD 关键词就可以了。读高斯的输出文件，有对应的Excited State 1 的激发能。
2. 垂直发射(vertical emission) 同样的道理，先优化第一激发态的构型，这时在执行区域加关键词 TD OPT 就可以了，取出优化后的分子构型。再做垂直激发，即在执行区域加关键词 TD 就可以了，读出输出文件的第一激发能，此时就是垂直发射能。