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[交流]
【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题
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| 求助各位前辈,单晶硅高温约1100度处理后,用HF:HNO3=1:3腐蚀液腐蚀,反应特别剧烈,表面很容易被氧化,加冰醋酸作为缓冲剂也不行,所以想请教各位有什么好的经验吗?谢谢了。。(另我是做单晶硅提纯方向) |
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5楼2010-11-26 11:12:47
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
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msewang(金币+1): 2010-11-27 12:16:29
msewang(金币+1): 2010-11-28 12:47:33
msewang(金币+1): 2010-11-28 12:47:33
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把HF:HNO3的配比降下来试试,现在是1:3,可以试试1:6如何,然后再做调整。腐蚀速度很大程度上取决于HF所占的比例,不一定需要加冰醋酸。 另外就是,腐蚀液别太多了,不然在腐蚀结束的时候,你用水冲不干净,很容易再次被氧化。我腐蚀直径大约3厘米的小单晶片一般就用两百毫升的辈子装一百毫升的酸来腐蚀,关键是在冲水的时候要猛、快,连续几瓢水下去就OK了。如果你用水管直接冲,那被氧化的可能性非常大。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-27 at 11:59 ] |
11楼2010-11-27 11:53:23
12楼2010-11-28 22:15:02
13楼2012-06-22 13:20:20














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