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msewang

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题

求助各位前辈，单晶硅高温约1100度处理后，用HF：HNO3=1:3腐蚀液腐蚀，反应特别剧烈，表面很容易被氧化，加冰醋酸作为缓冲剂也不行，所以想请教各位有什么好的经验吗？谢谢了。。（另我是做单晶硅提纯方向）
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1楼 2010-11-25 11:00:11
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msewang

新虫 (初入文坛)
HNO3是氧化作用，但ＨＦ酸是去除氧化层的，这个腐蚀液本来就是抛光用的，不是你所说的不可避免，低温处理过的硅片就不会被氧化。。。
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5楼2010-11-26 11:12:47
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普通回帖

hc1112223

禁言 (初入文坛)
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
本帖内容被屏蔽
2楼2010-11-25 22:50:25
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msewang

新虫 (初入文坛)
谢谢，你可能理解错我的意思了，我的意思是单晶硅片经过高温处理过后，然后去腐蚀，是在常温下，不是在1100摄氏度，我试过吧HF，HNO3，和醋酸的比例改为5:3:3，但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
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3楼2010-11-25 23:18:52
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:58
表面氧化不可避免啊，硝酸强氧化性，硝酸就是用来表面氧化的
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4楼2010-11-26 11:09:07
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msewang

新虫 (初入文坛)
懂这个或者做过这样实验的前辈请帮助一下吧
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6楼2010-11-26 11:13:49
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沸腾在绝对零度

铁杆木虫 (正式写手)
非常简单，先在HNO3中浸泡，然后加入HF酸，控制速度，冰醋酸根本不用加！
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7楼2010-11-26 12:43:07
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msewang

新虫 (初入文坛)
请问楼上，您这样做过吗
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8楼2010-11-26 16:17:31
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by msewang at 2010-11-26 11:12:47:
HNO3是氧化作用，但ＨＦ酸是去除氧化层的，这个腐蚀液本来就是抛光用的，不是你所说的不可避免，低温处理过的硅片就不会被氧化。。。

呵呵，1.硝酸表面氧化，2.氢氟酸除去表面氧化层3氧化不可避免在这个溶液中，你说的低温条件下不知多低温度？如何测试？
况且对于硅片来说，HF漂清后据我看到的资料，在一定环境下最长大概10min表面不被氧化。就像我们实验的条件，拿出来几分钟就会长一层及纳米范围的氧化层，这个你可以用椭偏测试验证。
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9楼2010-11-26 16:28:10
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msewang

新虫 (初入文坛)
一般七百度以下处理过的硅片在常温下腐蚀抛光就不容易氧化，可能我们做实验的条件不一样。。
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10楼2010-11-26 17:01:07
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)
msewang(金币+1): 2010-11-27 12:16:29
msewang(金币+1): 2010-11-28 12:47:33
把HF：HNO3的配比降下来试试，现在是1：3，可以试试1：6如何，然后再做调整。腐蚀速度很大程度上取决于HF所占的比例，不一定需要加冰醋酸。
另外就是，腐蚀液别太多了，不然在腐蚀结束的时候，你用水冲不干净，很容易再次被氧化。我腐蚀直径大约3厘米的小单晶片一般就用两百毫升的辈子装一百毫升的酸来腐蚀，关键是在冲水的时候要猛、快，连续几瓢水下去就OK了。如果你用水管直接冲，那被氧化的可能性非常大。

[ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-27 at 11:59 ]
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11楼2010-11-27 11:53:23
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sentaurus

金虫 (小有名气)

111

用NH4OH做缓冲呢？ BHF
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12楼2010-11-28 22:15:02
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sunm1980

木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
回楼上的朋友，Si的晶圆你用FTIR测下就知道表面存在SiO2*mH2O自然氧化层，这个是不可避免的，不是说不会氧化
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13楼2012-06-22 13:20:20
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