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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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msewang

新虫 (初入文坛)


[交流] 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题

求助各位前辈,单晶硅高温约1100度处理后,用HF:HNO3=1:3腐蚀液腐蚀,反应特别剧烈,表面很容易被氧化,加冰醋酸作为缓冲剂也不行,所以想请教各位有什么好的经验吗?谢谢了。。(另我是做单晶硅提纯方向)
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msewang

新虫 (初入文坛)


HNO3是氧化作用,但HF酸是去除氧化层的,这个腐蚀液本来就是抛光用的,不是你所说的不可避免,低温处理过的硅片就不会被氧化。。。
5楼2010-11-26 11:12:47
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普通回帖

hc1112223

禁言 (初入文坛)

msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
本帖内容被屏蔽

2楼2010-11-25 22:50:25
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msewang

新虫 (初入文坛)


谢谢,你可能理解错我的意思了,我的意思是单晶硅片经过高温处理过后,然后去腐蚀,是在常温下,不是在1100摄氏度,我试过吧HF,HNO3,和醋酸的比例改为5:3:3,但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
3楼2010-11-25 23:18:52
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:58
表面氧化不可避免啊,硝酸强氧化性,硝酸就是用来表面氧化的
4楼2010-11-26 11:09:07
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msewang

新虫 (初入文坛)


懂这个或者做过这样实验的前辈请帮助一下吧
6楼2010-11-26 11:13:49
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沸腾在绝对零度

铁杆木虫 (正式写手)


非常简单,先在HNO3中浸泡,然后加入HF酸,控制速度,冰醋酸根本不用加!
7楼2010-11-26 12:43:07
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msewang

新虫 (初入文坛)


请问楼上,您这样做过吗
8楼2010-11-26 16:17:31
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by msewang at 2010-11-26 11:12:47:
HNO3是氧化作用,但HF酸是去除氧化层的,这个腐蚀液本来就是抛光用的,不是你所说的不可避免,低温处理过的硅片就不会被氧化。。。

呵呵,1.硝酸表面氧化,2.氢氟酸除去表面氧化层3氧化不可避免在这个溶液中,你说的低温条件下不知多低温度?如何测试?
况且对于硅片来说,HF漂清后据我看到的资料,在一定环境下最长大概10min表面不被氧化。就像我们实验的条件,拿出来几分钟就会长一层及纳米范围的氧化层,这个你可以用椭偏测试验证。
9楼2010-11-26 16:28:10
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msewang

新虫 (初入文坛)


一般七百度以下处理过的硅片在常温下腐蚀抛光就不容易氧化,可能我们做实验的条件不一样。。
10楼2010-11-26 17:01:07
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)


msewang(金币+1): 2010-11-27 12:16:29
msewang(金币+1): 2010-11-28 12:47:33
把HF:HNO3的配比降下来试试,现在是1:3,可以试试1:6如何,然后再做调整。腐蚀速度很大程度上取决于HF所占的比例,不一定需要加冰醋酸。
另外就是,腐蚀液别太多了,不然在腐蚀结束的时候,你用水冲不干净,很容易再次被氧化。我腐蚀直径大约3厘米的小单晶片一般就用两百毫升的辈子装一百毫升的酸来腐蚀,关键是在冲水的时候要猛、快,连续几瓢水下去就OK了。如果你用水管直接冲,那被氧化的可能性非常大。

[ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-27 at 11:59 ]
11楼2010-11-27 11:53:23
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sentaurus

金虫 (小有名气)


111

用NH4OH做缓冲呢? BHF
12楼2010-11-28 22:15:02
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sunm1980

木虫 (正式写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
回楼上的朋友,Si的晶圆你用FTIR测下就知道表面存在SiO2*mH2O自然氧化层,这个是不可避免的,不是说不会氧化
13楼2012-06-22 13:20:20
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