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msewang

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题

求助各位前辈，单晶硅高温约1100度处理后，用HF：HNO3=1:3腐蚀液腐蚀，反应特别剧烈，表面很容易被氧化，加冰醋酸作为缓冲剂也不行，所以想请教各位有什么好的经验吗？谢谢了。。（另我是做单晶硅提纯方向）
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1楼2010-11-25 11:00:11
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msewang

新虫 (初入文坛)
谢谢，你可能理解错我的意思了，我的意思是单晶硅片经过高温处理过后，然后去腐蚀，是在常温下，不是在1100摄氏度，我试过吧HF，HNO3，和醋酸的比例改为5:3:3，但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
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3楼2010-11-25 23:18:52
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msewang

新虫 (初入文坛)
HNO3是氧化作用，但ＨＦ酸是去除氧化层的，这个腐蚀液本来就是抛光用的，不是你所说的不可避免，低温处理过的硅片就不会被氧化。。。
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5楼2010-11-26 11:12:47
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msewang

新虫 (初入文坛)
懂这个或者做过这样实验的前辈请帮助一下吧
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6楼2010-11-26 11:13:49
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msewang

新虫 (初入文坛)
请问楼上，您这样做过吗
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8楼2010-11-26 16:17:31
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msewang

新虫 (初入文坛)
一般七百度以下处理过的硅片在常温下腐蚀抛光就不容易氧化，可能我们做实验的条件不一样。。
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10楼2010-11-26 17:01:07
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