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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题
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msewang

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题

求助各位前辈，单晶硅高温约1100度处理后，用HF：HNO3=1:3腐蚀液腐蚀，反应特别剧烈，表面很容易被氧化，加冰醋酸作为缓冲剂也不行，所以想请教各位有什么好的经验吗？谢谢了。。（另我是做单晶硅提纯方向）
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1楼 2010-11-25 11:00:11
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sunm1980

木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
回楼上的朋友，Si的晶圆你用FTIR测下就知道表面存在SiO2*mH2O自然氧化层，这个是不可避免的，不是说不会氧化
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13楼2012-06-22 13:20:20
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hc1112223

禁言 (初入文坛)
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
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2楼2010-11-25 22:50:25
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msewang

新虫 (初入文坛)
谢谢，你可能理解错我的意思了，我的意思是单晶硅片经过高温处理过后，然后去腐蚀，是在常温下，不是在1100摄氏度，我试过吧HF，HNO3，和醋酸的比例改为5:3:3，但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
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3楼2010-11-25 23:18:52
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:58
表面氧化不可避免啊，硝酸强氧化性，硝酸就是用来表面氧化的
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4楼2010-11-26 11:09:07
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