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msewang

新虫 (初入文坛)


[交流] 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题

求助各位前辈,单晶硅高温约1100度处理后,用HF:HNO3=1:3腐蚀液腐蚀,反应特别剧烈,表面很容易被氧化,加冰醋酸作为缓冲剂也不行,所以想请教各位有什么好的经验吗?谢谢了。。(另我是做单晶硅提纯方向)
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sunm1980

木虫 (正式写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
回楼上的朋友,Si的晶圆你用FTIR测下就知道表面存在SiO2*mH2O自然氧化层,这个是不可避免的,不是说不会氧化
13楼2012-06-22 13:20:20
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hc1112223

禁言 (初入文坛)

msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
本帖内容被屏蔽

2楼2010-11-25 22:50:25
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msewang

新虫 (初入文坛)


谢谢,你可能理解错我的意思了,我的意思是单晶硅片经过高温处理过后,然后去腐蚀,是在常温下,不是在1100摄氏度,我试过吧HF,HNO3,和醋酸的比例改为5:3:3,但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
3楼2010-11-25 23:18:52
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:58
表面氧化不可避免啊,硝酸强氧化性,硝酸就是用来表面氧化的
4楼2010-11-26 11:09:07
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