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【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题
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| 求助各位前辈，单晶硅高温约1100度处理后，用HF：HNO3=1:3腐蚀液腐蚀，反应特别剧烈，表面很容易被氧化，加冰醋酸作为缓冲剂也不行，所以想请教各位有什么好的经验吗？谢谢了。。（另我是做单晶硅提纯方向） |
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msewang(金币+1): 2010-11-27 12:16:29
msewang(金币+1): 2010-11-28 12:47:33
msewang(金币+1): 2010-11-28 12:47:33
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把HF：HNO3的配比降下来试试，现在是1：3，可以试试1：6如何，然后再做调整。腐蚀速度很大程度上取决于HF所占的比例，不一定需要加冰醋酸。 另外就是，腐蚀液别太多了，不然在腐蚀结束的时候，你用水冲不干净，很容易再次被氧化。我腐蚀直径大约3厘米的小单晶片一般就用两百毫升的辈子装一百毫升的酸来腐蚀，关键是在冲水的时候要猛、快，连续几瓢水下去就OK了。如果你用水管直接冲，那被氧化的可能性非常大。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-27 at 11:59 ] |
11楼2010-11-27 11:53:23
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
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本帖内容被屏蔽 |
2楼2010-11-25 22:50:25
3楼2010-11-25 23:18:52
4楼2010-11-26 11:09:07
