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msewang

新虫 (初入文坛)


[交流] 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题

求助各位前辈,单晶硅高温约1100度处理后,用HF:HNO3=1:3腐蚀液腐蚀,反应特别剧烈,表面很容易被氧化,加冰醋酸作为缓冲剂也不行,所以想请教各位有什么好的经验吗?谢谢了。。(另我是做单晶硅提纯方向)
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)


msewang(金币+1): 2010-11-27 12:16:29
msewang(金币+1): 2010-11-28 12:47:33
把HF:HNO3的配比降下来试试,现在是1:3,可以试试1:6如何,然后再做调整。腐蚀速度很大程度上取决于HF所占的比例,不一定需要加冰醋酸。
另外就是,腐蚀液别太多了,不然在腐蚀结束的时候,你用水冲不干净,很容易再次被氧化。我腐蚀直径大约3厘米的小单晶片一般就用两百毫升的辈子装一百毫升的酸来腐蚀,关键是在冲水的时候要猛、快,连续几瓢水下去就OK了。如果你用水管直接冲,那被氧化的可能性非常大。

[ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-27 at 11:59 ]
11楼2010-11-27 11:53:23
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hc1112223

禁言 (初入文坛)

msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
本帖内容被屏蔽

2楼2010-11-25 22:50:25
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msewang

新虫 (初入文坛)


谢谢,你可能理解错我的意思了,我的意思是单晶硅片经过高温处理过后,然后去腐蚀,是在常温下,不是在1100摄氏度,我试过吧HF,HNO3,和醋酸的比例改为5:3:3,但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
3楼2010-11-25 23:18:52
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:58
表面氧化不可避免啊,硝酸强氧化性,硝酸就是用来表面氧化的
4楼2010-11-26 11:09:07
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