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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题
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msewang

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题

求助各位前辈，单晶硅高温约1100度处理后，用HF：HNO3=1:3腐蚀液腐蚀，反应特别剧烈，表面很容易被氧化，加冰醋酸作为缓冲剂也不行，所以想请教各位有什么好的经验吗？谢谢了。。（另我是做单晶硅提纯方向）
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1楼 2010-11-25 11:00:11
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by msewang at 2010-11-26 11:12:47:
HNO3是氧化作用，但ＨＦ酸是去除氧化层的，这个腐蚀液本来就是抛光用的，不是你所说的不可避免，低温处理过的硅片就不会被氧化。。。

呵呵，1.硝酸表面氧化，2.氢氟酸除去表面氧化层3氧化不可避免在这个溶液中，你说的低温条件下不知多低温度？如何测试？
况且对于硅片来说，HF漂清后据我看到的资料，在一定环境下最长大概10min表面不被氧化。就像我们实验的条件，拿出来几分钟就会长一层及纳米范围的氧化层，这个你可以用椭偏测试验证。
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9楼2010-11-26 16:28:10
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hc1112223

禁言 (初入文坛)
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
本帖内容被屏蔽
2楼2010-11-25 22:50:25
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msewang

新虫 (初入文坛)
谢谢，你可能理解错我的意思了，我的意思是单晶硅片经过高温处理过后，然后去腐蚀，是在常温下，不是在1100摄氏度，我试过吧HF，HNO3，和醋酸的比例改为5:3:3，但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
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3楼2010-11-25 23:18:52
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)
msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:58
表面氧化不可避免啊，硝酸强氧化性，硝酸就是用来表面氧化的
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4楼2010-11-26 11:09:07
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