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【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题
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msewang
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【求助】求助各位前辈关于单晶硅片高温处理后的腐蚀问题
求助各位前辈,单晶硅高温约1100度处理后,用HF:HNO3=1:3腐蚀液腐蚀,反应特别剧烈,表面很容易被氧化,加冰醋酸作为缓冲剂也不行,所以想请教各位有什么好的经验吗?谢谢了。。(另我是做单晶硅提纯方向)
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2010-11-25 11:00:11
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Originally posted by
msewang
at 2010-11-26 11:12:47:
HNO3是氧化作用,但HF酸是去除氧化层的,这个腐蚀液本来就是抛光用的,不是你所说的不可避免,低温处理过的硅片就不会被氧化。。。
呵呵,1.硝酸表面氧化,2.氢氟酸除去表面氧化层3氧化不可避免在这个溶液中,你说的低温条件下不知多低温度?如何测试?
况且对于硅片来说,HF漂清后据我看到的资料,在一定环境下最长大概10min表面不被氧化。就像我们实验的条件,拿出来几分钟就会长一层及纳米范围的氧化层,这个你可以用椭偏测试验证。
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2010-11-26 16:28:10
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msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:51
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谢谢,你可能理解错我的意思了,我的意思是单晶硅片经过高温处理过后,然后去腐蚀,是在常温下,不是在1100摄氏度,我试过吧HF,HNO3,和醋酸的比例改为5:3:3,但是腐蚀后表面还是被氧化了。。。
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2010-11-25 23:18:52
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msewang(金币+1): 2010-11-26 11:09:58
表面氧化不可避免啊,硝酸强氧化性,硝酸就是用来表面氧化的
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2010-11-26 11:09:07
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