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cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
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[交流]
【求助成功】从原胞到表面吸附结构,一套完整的计算,怎么规划优化? 已有5人参与
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在各位虫友的帮助启发下,现在VASP总能计算结果基本上都能与文献结果保持数量级上的一致.现在迫切需要提高计算精度,希望可以把偏差控制到0.02eV以下.我把我的计算流程列出来,希望大家提供改善或纠正的意见. 我做计算的流程如下: (1)原胞优化,建模. (2)ISTART=0,ICHARG=2,EDIFF=1E-3,EDIFFG=-0.1,IBRION=2,LREAL=Auto粗结构优化; (3)rm WAVECAR.EDIFF=1E-4,EDIFFG=-0.01,IBRION=2,LREAL=Auto结构优化; (4)静态计算,优化ENCUT,K-points,SIGMA (5)rm WAVECAR,用优化好的参数和结构,做静态自恰计算,得到总能和电荷密度数据. (6)能带等其它性质的计算. (7)数据处理. 问题: (1)FFT的网格优化需要做吗?在哪个阶段做比较合适? (2)对于含有f电子的模型,带U优化结构有必要吗?先不带U优化结构,计算总能和电子结构的时候再把U加上满足精度要求吗? (3)同种材料不同结构的模型,SIGMA要分别优化吗?比如原胞总能计算,需要优化SIGMA;做出表面后SIGMA又要优化一次;做出表面吸附结构后,SIGMA需要再优化一次?提出这样的问题是因为我检查同样的SIGMA设置,不同模型中EENTRO差别较大,只有少数情况是较小的(<0.01) (4)过了一段时间,计算任务积累的越来越多了,各位怎么管理和保存这些结算结果呢? 这些还是入门性的问题,很多可以自己慢慢摸索.但是希望可以和大家交流一下,以节约时间.也希望这个帖子对一些人有帮助. [ Last edited by cenwanglai on 2010-6-17 at 14:46 ] |
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cenwanglai
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候博士的指南中给出了SIGMA优化的一个例子.去找来看看.意思是在0.1-0.3之间设置几个SIGMA,分别做静态计算,然后看EENTRO和SIGMA的关系,一般要控制EENTRO较小,比如0.01(这个我不肯定,请高手给予判断)就可以了. 不过很多文献直接给出所有计算SIGMA=0.2不变化,或者算某个特别的值是指定SIGMA=0.05或者0.07这样很小的数值. 但是可以看到,SIGMA对OUTCAR中的三个能量数值是有影响的: freen energy TOTEN energy without entropy energy (sigma->0) 到底选什么能量作为计算能量差计算基准?不知道.因为有文献交代所有能量都插值sigma->0.候博士的指南中好象用的是energy without entropy.但是经常看到用grep "TOTEN" OUTCAR |tail -1 来看能量的. 希望高手可以给个结论. |
9楼2010-05-24 20:43:23
cenwanglai
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