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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助完毕】硫酸根离子的结构优化，偶极修正及势能修正。
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

[交流] 【求助完毕】硫酸根离子的结构优化，偶极修正及势能修正。已有2人参与

SO4放在1nm边长的立方盒子中间,中性分子簇价电子数为30.

对于离子的计算，按照结构优化和自洽计算两个阶段是否带电可分为一下四种情况

带电（NELECT=32）
不带电(NELECT=30)

        结构优化        静态自洽计算   
A)     带电                 带电              E1=-35.994eV
B）   不带电             带电              E2=-35.765eV
C）   带电               不带电           --
D）  不带电            不带电            E4=-26.539eV

以上结果说明，硫酸根是可以稳定单独存在的。而且，结构优化是否带电对体系基态是有显著影响的，二者能量差|E1-E2|=0.23eV.

但是这里没有加偶极修正。

在结构优化和自洽计算都带电且考虑偶极修正（NELECT=32, IDIPOL=4)后，在静态自洽文件夹中：
grep "TOTEN" OUTCAR

free energy TOTEN =  -34.6451eV
*********** adding dipol energy to TOTEN NOW *************
free energy TOTEN = -28.091eV

看起来考虑偶极修正后，差异还是很大的。

问题：
（1）对于slab结构吸附带电离子，结构优化和静态计算的时候需要加电荷。在结构优化的同时就需要考虑偶极修正（slab IDIPOL =1~3,带电小分子 IDIPOL=4）？这样计算好像要慢很多，各位一般是怎么做的？

（2）还有一项势能修正（LDIPOL=.TRUE.），这个手册上说对于带电体系只对立方盒子有效。因为带电体系要做四极矩修正，这个只能在立方盒子超胞下才能做的。但是大部分超胞吸附模型都不是立方盒子，比如我的是六方的。吸附结构引入高介电常数的底材，势能修正项是否可以忽略呢？各位在计算的时候一般是怎么考虑势能修正这一项的呢？

（3）偶极修正（dipol correction）好理解，势能修正(potential correction)是什么意思呢？

（4）手册上讲：For charged cells or for calculations of molecules and surfaces with a large dipole moment, the energy converges very slowly with respect to the size L of the supercell.

...for charged systems with excess electrons more reliable results can be obtained if the energy after correction of the linear error (1/L) is plotted against 1/L^3 to extrapolates results manually for L->infinite.
这个多级矩修正与超胞尺寸L的关系怎么理解呢？

完全蒙。请过路高手跟帖解惑或者提供参考资料。

[ Last edited by cenwanglai on 2010-10-22 at 19:45 ]
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1楼2010-09-20 18:19:35
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hgye

金虫 (小有名气)
★
mazuju028(金币+1):谢谢交流 2010-09-20 21:36:57
是的，必须的
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2楼2010-09-20 19:04:55
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

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问题更新了，希望大家给给予帮助！
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3楼2010-09-21 09:12:41
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cenwanglai

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老和山猥琐派九段

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求助。
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4楼2010-09-25 17:34:41
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sunyang1988

至尊木虫 (著名写手)
结构优化与自洽计算的区别是什么呢，结构优化不需要自洽计算么？
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心之所向无惧无悔
5楼2010-09-25 17:59:11
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cenwanglai

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老和山猥琐派九段

优秀版主
引用回帖:
Originally posted by sunyang1988 at 2010-09-25 17:59:11:
结构优化与自洽计算的区别是什么呢，结构优化不需要自洽计算么？

呵呵，我的说法过于简化了。

结构优化需要自洽。我在一楼说的自洽计算是指结构优化后的静态自洽计算，k点加密了的。对于分子或者小的离子，我还是在Gamma点结构优化的基础上加密K点做静态自洽计算来算能量的。

[ Last edited by cenwanglai on 2010-9-25 at 19:00 ]
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6楼2010-09-25 18:58:12
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sunyang1988

至尊木虫 (著名写手)
cenwanglai(金币+2):谢谢回复。呵呵。 2010-09-25 21:08:23
原来是这样，这样算出来精度差了点吧
我算过LFPO（001）表面带电荷的加dipole correction后，根本就不收敛
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心之所向无惧无悔
7楼2010-09-25 19:38:39
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主
我去查查文献，研究研究先。回复的人太少，不知道是什么原因。
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8楼2010-09-25 21:11:44
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fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)
VASP 可以计算带电离子的表面吸附么？ 是5.2 的新功能么
INCAR要如何设置？
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9楼2010-09-26 13:58:34
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cenwanglai

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老和山猥琐派九段

优秀版主
不是新功能。手册6.57节有。vasp4.6是可以上算带电离子吸附的。我和侯老师邮件交流的结果也是这个意思。

[ Last edited by cenwanglai on 2010-9-26 at 14:08 ]
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10楼2010-09-26 14:01:37
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