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fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-09-26 14:01:37:
不知道是不是新功能。不过看手册，vasp4.6是可以上算带电离子吸附的。我和侯老师邮件交流的结果也是这个意思。

噢，那输入文件要如何设置呢？
有什么要注意的么？ 求指点。
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11楼2010-09-26 14:08:57
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cenwanglai

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NELECT=中性电子数加上电荷数（吸附-2价阴离子就+2eV）

IDIPOL = 1,2,3或4.（4针对带分子或者原子簇，其它针对slab的法向）

LDIPOL=.TRUE. 这个对带电体系只能对立方超胞有效，否则程序拒绝计算。

第三个参数设置我还不理解。

学习中。
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12楼2010-09-26 14:14:43
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fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-09-26 14:14:43:
NELECT=中性电子数加上电荷数（吸附-2价阴离子就+2eV）

IDIPOL = 1,2,3或4.（4针对带分子或者原子簇，其它针对slab的法向）

LDIPOL=.TRUE. 这个对带电体系只能对立方超胞有效，否则程序拒绝计算。

第三个 ...

谢谢指点。

翻了下手册，设置NELECT后，VASP认为电荷将作为背景电荷均匀分布在超胞中，那么要怎样把电荷加到特定的离子上呢？
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13楼2010-09-26 15:32:37
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cenwanglai

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这个没有办法的。只能加到背景上。如果自洽结果是局域到缺陷上或者吸附离子上，那就是有意义的计算。否则就是无意义的计算。
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14楼2010-09-26 15:34:24
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fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-09-26 15:34:24:
这个没有办法的。只能加到背景上。如果自洽结果是局域到缺陷上或者吸附离子上，那就是有意义的计算。否则就是无意义的计算。

算完之后看电荷密度？
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15楼2010-09-26 15:43:09
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cenwanglai

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手册上讲（6.58）：
The corrections are only reasonable if the defect-induced perturbation of the charge density is strictly localized around the defect,i.e., if only the occupation of localized defect states is changed.

我想可以这样看：把加电荷自洽收敛后的电荷密度与不加电荷的中性自洽电荷密度相减，看看差分电荷密度在哪里。

不过，对于本身带电的离子吸附，考虑中性结构的计算，反倒好像有些问题。
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16楼2010-09-26 15:58:11
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水之源

至尊木虫 (著名写手)
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Originally posted by cenwanglai at 2010-09-26 15:58:11:
手册上讲（6.58）：
The corrections are only reasonable if the defect-induced perturbation of the charge density is strictly localized around the defect,i.e., if only the occupation of localized de ...

这帖子尘封了很久啊~请问这教程的主题是啥呢？多谢~
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上善若水饮水思源
17楼2011-04-18 10:03:10
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cenwanglai

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老和山猥琐派九段

优秀版主
引用回帖:
Originally posted by 水之源 at 2011-04-18 10:03:10:
这帖子尘封了很久啊~请问这教程的主题是啥呢？多谢~

没明白你的意思。
这里的教程是官方vasp手册。
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18楼2011-04-18 10:30:49
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水之源

至尊木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2011-04-18 10:30:49:
没明白你的意思。
这里的教程是官方vasp手册。

恩，请问能把关于离子建模这一块的详细教程给我发一份吗？谢谢~
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上善若水饮水思源
19楼2011-04-18 10:37:46
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cenwanglai

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没有。
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20楼2011-04-18 10:38:44
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