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cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
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[交流]
【求助成功】从原胞到表面吸附结构,一套完整的计算,怎么规划优化? 已有5人参与
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在各位虫友的帮助启发下,现在VASP总能计算结果基本上都能与文献结果保持数量级上的一致.现在迫切需要提高计算精度,希望可以把偏差控制到0.02eV以下.我把我的计算流程列出来,希望大家提供改善或纠正的意见. 我做计算的流程如下: (1)原胞优化,建模. (2)ISTART=0,ICHARG=2,EDIFF=1E-3,EDIFFG=-0.1,IBRION=2,LREAL=Auto粗结构优化; (3)rm WAVECAR.EDIFF=1E-4,EDIFFG=-0.01,IBRION=2,LREAL=Auto结构优化; (4)静态计算,优化ENCUT,K-points,SIGMA (5)rm WAVECAR,用优化好的参数和结构,做静态自恰计算,得到总能和电荷密度数据. (6)能带等其它性质的计算. (7)数据处理. 问题: (1)FFT的网格优化需要做吗?在哪个阶段做比较合适? (2)对于含有f电子的模型,带U优化结构有必要吗?先不带U优化结构,计算总能和电子结构的时候再把U加上满足精度要求吗? (3)同种材料不同结构的模型,SIGMA要分别优化吗?比如原胞总能计算,需要优化SIGMA;做出表面后SIGMA又要优化一次;做出表面吸附结构后,SIGMA需要再优化一次?提出这样的问题是因为我检查同样的SIGMA设置,不同模型中EENTRO差别较大,只有少数情况是较小的(<0.01) (4)过了一段时间,计算任务积累的越来越多了,各位怎么管理和保存这些结算结果呢? 这些还是入门性的问题,很多可以自己慢慢摸索.但是希望可以和大家交流一下,以节约时间.也希望这个帖子对一些人有帮助. [ Last edited by cenwanglai on 2010-6-17 at 14:46 ] |
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3楼2010-05-24 16:45:00
cenwanglai
荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
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2楼2010-05-24 14:19:12
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