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cenwanglai

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老和山猥琐派九段

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[交流] 【求助成功】从原胞到表面吸附结构,一套完整的计算,怎么规划优化? 已有5人参与

在各位虫友的帮助启发下,现在VASP总能计算结果基本上都能与文献结果保持数量级上的一致.现在迫切需要提高计算精度,希望可以把偏差控制到0.02eV以下.我把我的计算流程列出来,希望大家提供改善或纠正的意见.

我做计算的流程如下:
(1)原胞优化,建模.
(2)ISTART=0,ICHARG=2,EDIFF=1E-3,EDIFFG=-0.1,IBRION=2,LREAL=Auto粗结构优化;
(3)rm WAVECAR.EDIFF=1E-4,EDIFFG=-0.01,IBRION=2,LREAL=Auto结构优化;
(4)静态计算,优化ENCUT,K-points,SIGMA
(5)rm WAVECAR,用优化好的参数和结构,做静态自恰计算,得到总能和电荷密度数据.
(6)能带等其它性质的计算.
(7)数据处理.

问题:
(1)FFT的网格优化需要做吗?在哪个阶段做比较合适?
(2)对于含有f电子的模型,带U优化结构有必要吗?先不带U优化结构,计算总能和电子结构的时候再把U加上满足精度要求吗?
(3)同种材料不同结构的模型,SIGMA要分别优化吗?比如原胞总能计算,需要优化SIGMA;做出表面后SIGMA又要优化一次;做出表面吸附结构后,SIGMA需要再优化一次?提出这样的问题是因为我检查同样的SIGMA设置,不同模型中EENTRO差别较大,只有少数情况是较小的(<0.01)
(4)过了一段时间,计算任务积累的越来越多了,各位怎么管理和保存这些结算结果呢?

这些还是入门性的问题,很多可以自己慢慢摸索.但是希望可以和大家交流一下,以节约时间.也希望这个帖子对一些人有帮助.

[ Last edited by cenwanglai on 2010-6-17 at 14:46 ]
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lono75

铁杆木虫 (著名写手)

cenwanglai(金币+2):明白.谢谢. 2010-05-24 21:18:51
cenwanglai(金币+2):谢谢回复,再鼓励一下. 2010-05-25 09:21:52
两个不是一回事

EDIFF是取某一个Ecut时,电子自洽迭代时,相邻两次的能量差,达到此值时,ION动一下,ION步对应EDIFFG,.....

ΔEi<0.001eV/atom for different Ecut

电子迭代的ΔEi->EDIFF not the ΔEi of the later
由天命,成人事!
10楼2010-05-24 21:08:58
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

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2楼2010-05-24 14:19:12
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kgdu

金虫 (正式写手)

cenwanglai(金币+2):谢谢参与讨论 2010-06-17 14:44:56
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-05-23 09:48:51:
在各位虫友的帮助启发下,现在VASP总能计算结果基本上都能与文献结果保持数量级上的一致.现在迫切需要提高计算精度,希望可以把偏差控制到0.02eV以下.我把我的计算流程列出来,希望大家提供改善或纠正的意见.

我做 ...

请问优化ENCUT,K-point时,一般能量变化小于多少时就可以了,这个值是不是还体系原子的个数有关?还请问一下sigma怎么优化?谢谢了!!
3楼2010-05-24 16:45:00
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rdw00

木虫 (著名写手)

cenwanglai(金币+2):谢谢回答. 2010-05-24 20:25:27
引用回帖:
Originally posted by kgdu at 2010-05-24 16:45:00:


请问优化ENCUT,K-point时,一般能量变化小于多少时就可以了,这个值是不是还体系原子的个数有关?还请问一下sigma怎么优化?谢谢了!!

不能看能量小于多少,是要求收敛。取最佳收敛点就可以
4楼2010-05-24 17:40:38
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