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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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卧梅又闻花

木虫 (小有名气)

[交流] 表面等离子体共振是否会影响半导体能带间隙?

小弟刚入手半导体光催化方向,现遇到一个疑问,求助虫友。(半道出家,没有理论基础,问的问题可能挺粗浅,勿喷哈)
        目前关注了Au、Ag等贵金属在TiO2可见光光催化中的工作,其中,看到不少关于Au(Ag)|SiO2|TiO2“三明治”结构的报道。Au在光的激发下,其表面出现很强的表面等离子体共振(resonant surfaceplasmons),Au与TiO2之间的偶极子相互作用将等离子能量转移至半导体,并且促使半导体产生电子/空穴对。(Cushing, S. K. et al. Photocatalytic Activity Enhanced by Plasmonic Resonant Energy Transfer from Metal to Semiconductor. J. Am. Chem. Soc. 134, 15033-15041)那么在这个过程中,半导体的能带间隙会不会有变化呢?如果有的话,能通过什么手段进行表征呢?
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卧梅又闻花

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by HongzhenLin at 2015-06-17 18:36:56
属于直接带隙半导体,一般可采用紫外吸收谱来测,但贵金属颗粒会影响吸收边的确定。复合时难以避免的掺杂效应本身就会改变TiO2的带隙, 很难从实验角度排除。surface plasmon polariton与原有能级结构强烈耦合产生新 ...

相对于Au的紫外吸收峰,Au|SiO2|TiO2复合体系的紫外吸收峰出现二十纳米左右的红移,这是否可以确定是dipole-dipole coupling导致的?
4楼2015-06-18 10:15:47
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HongzhenLin

金虫 (著名写手)

★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
liwentao2010: 金币+3, 回帖详实,节日快乐,欢迎常来交流 2015-06-21 10:03:05
属于直接带隙半导体,一般可采用紫外吸收谱来测,但贵金属颗粒会影响吸收边的确定。复合时难以避免的掺杂效应本身就会改变TiO2的带隙, 很难从实验角度排除。surface plasmon polariton与原有能级结构强烈耦合产生新能级的报导,文献上有很多,例如http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl903455z,所以理论上也存在改变能带结构的可能。不过,在你所述的复合体系中,即使有这种效应也仅仅局限于与贵金属表面紧密接触(相距4 nm左右)的很小一部分TiO2。如果你没有看到贵金属颗粒的SP共振吸收峰位置在复合前后发生明显改变,基本上可以排除两者之间强烈耦合的可能。主要的作用应该还是类似FRET那样的dipole-dipole coupling,还有qudrapole-dipole coupling。
2楼2015-06-17 18:36:56
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xiaochong8693

木虫之王 (文坛精英)

为楼主留下满满的祝福
祝福楼主和各位虫友 一切顺利!
3楼2015-06-17 19:27:39
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HongzhenLin

金虫 (著名写手)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
liwentao2010: C-EPI+1, 回帖详细,欢迎常来催化交流,辛苦 2015-06-21 10:06:06
卧梅又闻花: 金币+10, 万分感谢您的点拨!受益匪浅! 2015-06-25 20:49:22
引用回帖:
4楼: Originally posted by 卧梅又闻花 at 2015-06-18 10:15:47
相对于Au的紫外吸收峰,Au|SiO2|TiO2复合体系的紫外吸收峰出现二十纳米左右的红移,这是否可以确定是dipole-dipole coupling导致的?...

首先明确一点,dipole-dipole coupling通常是指较远距离的偶极与偶极之间通过静电力产生的耦合作用,可以近似理解为:一个分子或微粒上发生正负电荷中心的相对运动时(能级跃迁),诱使临近的分子或微粒上发生方向相反的正负电荷中心的相对运动;两者之间没有电子云交叠(无论基态还是激发态),不会产生新的能级,也就不会引起吸收谱和发射谱的位移,典型的例子是FRET。

会引起吸收或发射谱位移的一定是有电子交换的可能,这种电子交换耦合可以是基态-基态相互作用(例如基态复合物,这种情况下基态能级发生变化,激发态能级一般也会变化,吸收和发射能隙都变窄),也可以是激发态-基态(例如激基复合物,这种情况激发态能级发生变化,但是基态向最低激发态能级的跃迁是禁阻的,因此吸收能隙不变,发射能隙变窄)或者激发态-激发态相互作用(例如J-aggregate和H-aggregate,基态能级不变,激发态产生一系列能级,但只有其中最低或者最高的能级是跃迁允许的,所以吸收红移或者蓝移,发射也随之红移或蓝移)。以上说的是作用双方都是离散能级的情况,涉及到体相半导体材料时,情况更为复杂,不过基本原理相同,可以认为是一离散能级与一系列能量相近的能级(即能带,价带或导带)之间的耦合作用,其结果是产生一系列隙间能态。发生这种强烈耦合的前提是两者有充分的电子云交叠,而当两者之间距离较远不存在电子交换时,则只能通过相对较弱的dipole-dipole coupling发生类似FRET的共振传能作用,这也是你提到的JACS那篇文章的主要观点,这种情况下能带结构是不会有变化的。

回到你的问题,紫外吸收峰出现20nm左右的红移,你确定你观察的是Au纳米粒子的LSPR吸收峰吗?复合前和复合后的吸收谱分别是怎么测的?有可能请直接上图。另外,Au纳米粒子吸附在TiO2表面时本身会聚集,从而改变LSPR峰的位置,你可以调变Au纳米粒子的相对负载量,如果在足够低的负载量下,仍能看到LSPR峰的红移,那才有说服力。而且,要证明强烈耦合,需要观察到原有的LSPR峰劈裂成了两组,而不是简单的红移。以我掌握的知识判断,这样的体系不大可能存在强烈的电子耦合的。

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5楼2015-06-18 16:45:15
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