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这是我的实验图，求高手帮我分析超级电容CV,EIS,GCD曲线 已有3人参与
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首先介绍下我的实验，材料主要是金属氧化物参杂碳材料，电解液为6M KOH，求高手帮我分析分析我的材料的一些问题，越详细越好！！！先谢过了！ 还有： 1.为什么材料的CV曲线比泡沫镍的CV曲线电信号来得小，这是否说明此材料不适合作为超电材料？ 2.关于EIS曲线，能否看出材料具有电容特性，怎么看？ 3.根据充放电曲线能得出哪些具体信息？ 4.就我的这个材料，电容大概多少？因为看过好多人说的计算公式，我第一次做，也不是很明白C=IT/mv，i、t、电压v的取值是怎么取的。  1.png  2.png  3.png  4.png |
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6楼2015-06-07 21:27:07
mapengsonny
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带你心飞
7楼2015-06-08 12:20:45
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8楼2015-06-08 12:44:26
mapengsonny
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超级电容的ＣＶ图应该是有矩形特点的曲线，首先你的CV图是缺乏电容特性的，你没提是什么金属氧化物，我没办法判断出峰位置。以二氧化锰为例的CV及GCD曲线见截图。图二是倍率图吗？规律是扫速增加峰电流降低，另外取峰电流对扫速作图，看是线性关系还是二次关系，可得出是扩散控制还是吸附控制的结论。图三中阻抗由3部分构成，是常规的曲线形式，具体对应关系可参照文献，（附件中已附上文献）。从图4 中可以看不出理想电容特性，理想的应该是充放电都是一个斜率，I为恒电流充放电的电流值，t是放电时间，V是电压降（你的是0.3+0.5即0.8），M是活性组分的质量。你给的公式得出来的就是质量比容量。 Image 3.png  Image 1.png |
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